[發明專利]半導體裝置用引線框架

有效

• 申請號: 00800926.0
• 申請日: 2000-03-24
• 公開（公告）號: CN1306676A
• 公開（公告）日: 2001-08-01
• 發明（設計）人: 關和光;吉江崇;佐藤晴信
• 申請（專利權）人: 新光電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 段承恩

1．一種在樹脂密封式半導體裝置中使用的由銅或銅合金構成的半導體裝置用引線框架，特征在于具有：

由銅或銅合金構成的引線框架本體；

在該引線框架本體上形成，用由鋅或銅-鋅合金構成的下層和由厚度0.02～0.4微米的銅構成的上層構成的2層的基底電鍍皮膜；和

在由該基底電鍍皮膜的該銅構成的上層的至少內部引線的金屬絲鍵合部分上形成的貴金屬電鍍皮膜。

2．權利要求1所述的半導體裝置用引線框架，其特征在于：上述由銅構成的上層的厚度為0.1～0.3微米。

3．權利要求1或2所述的半導體裝置用引線框架，其特征是：上述由銅或銅-鋅合金構成的下層的厚度為0.001～0.5微米。

4．一種在樹脂密封式半導體裝置中使用的由銅或銅合金構成的半導體裝置用引線框架，特征在于具有：

由銅或銅合金構成的引線框架本體；

在該引線框架本體上形成，用由從銀、錫、鐵、鎘、銅-鎳合金和銅-鎘合金中選出來的一種的金屬構成的下層，和由銅構成的上層構成的2層的基底電鍍皮膜；和

在由該基底電鍍皮膜的該銅構成的上層的至少內部引線的金屬絲鍵合部分上形成的貴金屬電鍍皮膜。

5．權利要求4所述的半導體裝置用引線框架，其特征在于：上述由銅構成的上層的厚度為0.1～0.3微米。

6．權利要求5或6所述的半導體裝置用引線框架，其特征在于：上述由銅或銅-鋅合金構成的下層的厚度為0.001～0.5微米。

7．一種在樹脂密封式半導體裝置中使用的由銅或銅合金構成的半導體裝置用引線框架，特征在于具有：

由銅或銅合金構成的引線框架本體；

在該引線框架本體上形成的由銅-鎳合金或銅-鎘合金構成的基底電鍍皮膜；和

在該基底電鍍皮膜的至少內引線的金屬絲鍵合部分上邊形成的貴金屬電鍍皮膜。

8．一種半導體裝置用引線框架的制造方法，其特征在于具備下述工序：

形成由銅或銅合金構成的引線框架本體的工序；

在該引線框架本體上邊，形成由鋅或銅-鋅合金構成的下層電鍍皮膜的工序；

在該由鋅或銅-鋅合金構成的下層電鍍皮膜上邊，形成厚度0.02～0.4的上層銅電鍍皮膜，借助于此作變成為由該下層和該上層構成的2層的基底電鍍皮膜的工序；和

在該上層銅電鍍皮膜的至少內部引線的鍵合部分上，形成貴金屬電鍍皮膜的工序。

9．權利要求9所述的方法，其特征在于：上述上層鍍銅皮膜的厚度為0.1～0.3微米。

10．一種半導體裝置，其特征在于：其構成為：在把半導體芯片裝載到權利要求1到8中的任何一項所述的半導體裝置用引線框架上，用鍵合金屬絲把該半導體芯片與上述內部引線的金屬絲鍵合部分電連起來，樹脂密封上述半導體芯片。

11．權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于除去形成在上述引線框架的外部引線上的電鍍皮膜，在露出的外部引線上形成有鍍錫皮膜。

12．一種半導體裝置的制造方法，其特征是具有下述工序：

形成由銅或銅合金構成的引線框架本體的工序；

在該引線框架本體上邊，形成由鋅或銅-鋅合金構成的下層電鍍皮膜的工序；

在該由鋅或銅-鋅合金構成的下層電鍍皮膜上邊，形成厚度0.02～0.4的上層銅電鍍皮膜，借助于此，變成為由該下層和該上層構成的基底電鍍皮膜的工序；和

在該上層銅電鍍皮膜的至少內部引線的金屬絲鍵合部分上邊，形成貴金屬電鍍皮膜的工序；

把半導體芯片裝載到已形成了該基底電鍍皮膜和該貴金屬電鍍皮膜的引線框架的芯片焊盤上邊的工序；

用鍵合金屬絲把該半導體芯片與該引線框架的內部引線的金屬絲鍵合部分電連起來的工序；

用密封樹脂密封半導體芯片的工序；

除去該引線框架的外部引線上邊的由該下層和該上層構成的該基底電鍍皮膜的工序；

在已露出來的外部引線上邊形成鍍錫皮膜的工序。