[發明專利]硅外延晶片及其制造方法

無效

• 申請號: 00800858.2
• 申請日: 2000-03-02
• 公開（公告）號: CN1304461A
• 公開（公告）日: 2001-07-18
• 發明（設計）人: 長谷川宏一;大久保裕司
• 申請（專利權）人: 直江津電子工業株式會社;信越半導體株式會社
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B25/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 劉立平

1??一種硅外延晶片，其特征在于：

系在由表面光澤度為95％以上之硅單晶所構成之化學蝕刻基片上，形成硅單晶薄膜。

2??一種硅外延晶片之制造方法，其特征在于：

在對被處理硅單晶基片進行化學蝕刻處理后所獲得之化學蝕刻基片上，使表面光澤度為95％以上之硅單晶薄膜進行汽相生長。

3??如權利要求2所述之硅外延晶片之制造方法，其中系藉前述化學蝕刻處理，使前述化學蝕刻基片之表面光澤度在95％以上。

4??如權利要求2或3所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述化學蝕刻處理系使用酸性蝕刻液加以進行，且以基片表面之粗度不隨蝕刻時間變化、大致達一定值般設定其蝕刻時間。

5??如權利要求4所述之硅外延晶片之制造方法，其中在前述化學蝕刻處理中，前述被處理硅單晶基片為n型，對該被處理硅單晶基片之蝕刻量設定在60μm以上。

6??如權利要求4所述之硅外延晶片之制造方法，其中在前述化學蝕刻處理中，對前述被處理硅單晶基片之蝕刻量設定在70μm以上。

7??如權利要求2所述之硅外延晶片之制造方法，其中在形成前述硅單晶薄膜之前述化學蝕刻基片主表面側以支撐體加以支撐而進行前述化學蝕刻基片之背面側的處理時，系使用介于前述化學蝕刻基片主表面與前述支撐體之間，阻止前述主表面與支撐體直接接觸之接觸阻止體。

8??如權利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接觸阻止體之至少與前述主表面之接觸部位，系使用由較硅單晶更為軟質之材料構成者。

9??如權利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接觸阻止體，系由較硅單晶更為軟質之材料所構成之覆蓋住前述主表面之覆蓋層。

10??如權利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接觸阻止體，系在支撐體上，阻止主表面與支撐體方面之直接接觸，以抵接于化學蝕刻基片之外周面及/或是主表面外緣部之形態保持化學蝕刻基片者。

11??如權利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接觸阻止體系壓縮氣體，藉將該壓縮氣體吹向前述化學蝕刻基片主表面，以保持化學蝕刻基片。

12??如權利要求2所述之硅外延晶片之制造方法，該方法具有：

背面側處理步驟，系使支撐體和形成前述硅單晶薄膜之前述化學蝕刻基片主表面接觸并加以支撐，以進行前述化學蝕刻基片之背面側的處理；

損傷除去步驟，系去除由于支撐體之接觸而在主表面產生之損傷；以及

汽相生長步驟，系在前述化學蝕刻基片主表面上形成前述硅單晶薄膜。

13??如權利要求12所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述損傷除去步驟，系包含使用堿性蝕刻液之濕式蝕刻步驟。

14??如權利要求13所述之硅外延晶片之制造方法，其中作為前述堿性蝕刻液，系使用氫氧化四甲銨、聯氨、乙二胺與苯二酚之混合物中任一種之水溶液。

15??如權利要求12～14中之任一項所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述損傷除去步驟中，前述化學蝕刻基片之蝕刻量系在0.5μm以上10μm以下。

16??如權利要求12～14中之任一項所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述損傷除去步驟中，前述化學蝕刻基片之蝕刻量系在1.5μm以上8μm以下。

17??如權利要求12～14中之任一項所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述損傷除去步驟中，包含有使用氯化氫氣體之氣相蝕刻步驟。

18??如權利要求17所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述損傷除去步驟中，系在進行前述濕式蝕刻步驟后，再進行前述氣相蝕刻步驟。

19??如權利要求17所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述氣相蝕刻步驟中，前述化學蝕刻基片之蝕刻量系在0.3μm以上5μm以下。

20??如權利要求12所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述損傷除去步驟，系包含在氫氣或是氮氣環境中以1200℃～1300℃進行熱處理之熱處理步驟。