[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電層疊片,及其制造方法和采用透明導(dǎo)電層疊片的顯示器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00800674.1
• 申請(qǐng)日: 2000-02-23
• 公開（公告）號(hào): CN1302442A
• 公開（公告）日: 2001-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 原寬;坪井誠(chéng)治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 帝人株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;B32B7/02;C23C14/08;C23C14/34;H01L31/04
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 陳霽,葉愷東

1．透明導(dǎo)電層疊片，包含基本由In-Sn-O組成的晶體透明導(dǎo)電膜和熱塑性聚合物薄膜構(gòu)成的透明基片，其特征在于導(dǎo)電薄膜晶體部分(222)、或(440)晶面的X-射線衍射強(qiáng)度最大，且(晶面X-射線衍射強(qiáng)度與(222)晶面的X-射線衍射強(qiáng)度比[X_440/222]在0.2至2.5之間。

2．如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于(400)晶面X-射線衍射強(qiáng)度與晶體部分(222)晶面的X-射線衍射強(qiáng)度比[X_400/222]為0.2以下。

3．如權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于透明導(dǎo)電膜電阻率為1.3×10^-4Ω·cm至4.5×10^-4Ω·cm。

4．如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于(440)晶面X-射線衍射強(qiáng)度與(222)晶面的X-射線衍射強(qiáng)度比[X_440/222]在0.3至1.2范圍，并且透明導(dǎo)電膜電阻率為1.3×10^-4Ω·cm至3.0×10^-4Ω·cm。

5．如權(quán)利要求3所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于透明導(dǎo)電膜主要由氧化銦和含有重量比為2.5至25％的氧化錫構(gòu)成。

6．如權(quán)利要求3所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于透明導(dǎo)電膜的厚度為10至300nm。

7．如權(quán)利要求6所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于熱塑性聚合物薄膜基片的厚度為0.01至0.4mm。

8．如權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于熱塑性聚合物薄膜基片是聚碳酸酯薄膜。

9．如權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于熱塑性聚合物薄膜基片是一面或雙面涂覆一層以上的覆蓋層的涂覆膜。

10．如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電層疊片，包含有基本由In-Sn-O組成的晶體透明導(dǎo)電膜和透明基片，具有下列特征：(ⅰ)透明基片是0.01至0.4mm厚的透明熱塑性聚合物薄膜。(ⅱ)制作在透明基片上的透明導(dǎo)電膜有以下特點(diǎn)：

(A)透明導(dǎo)電膜由金屬氧化物構(gòu)成，主要成分為氧化銦及含重量比為2.5至25％氧化錫，透明導(dǎo)電膜的厚度是10至300nm，

(B)晶體部分的(222)或(440)晶面X-射線衍射強(qiáng)度最大，且(440)晶面X-射線衍射強(qiáng)度與(222)晶面的X-射線衍射強(qiáng)度比[X_440/222]在0.2至2.5范圍，理想的為0.3至1.2，(400)晶面X-射線衍射強(qiáng)度與(222)晶面的X-射線衍射強(qiáng)度比[X_400/222]在0至0.2范圍，

(C)透明導(dǎo)電膜電阻率為1.3×10^-4Ω·cm至3.0×10^-4Ω·cm。

11．如權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電層疊片，其特征在于全光透光率是80％以上。

12．利用基本由In-Sn-O組成的靶，用濺射方法在熱塑性薄膜的透明基片上，制作透明導(dǎo)電膜，制造透明導(dǎo)電層疊片的方法，其特征在于本方法包括，

(a)在基片上制造透明導(dǎo)電膜，同時(shí)在濺射法的薄膜制作氣氛中，氧分壓與水分壓的比基本為零或在10至1000之間，水分壓與惰性氣體分壓的比是2.5×10^-6至7×10^-4。此外，薄膜制作中基片溫度保持在80℃以下，

(b)隨后，在80℃至150℃的含氧的氣氛中，對(duì)在基片上制備有透明導(dǎo)電膜的層疊片進(jìn)行熱處理0.5至12小時(shí)。

13．如權(quán)利要求12所述的用于制造透明導(dǎo)電層疊片的方法，其特征在于在熱處理前，透明導(dǎo)電膜的電阻率為4×10^-4至1×10^-3Ω·cm。

14．如權(quán)利要求12所述的用于制造透明導(dǎo)電層疊片的方法，其特征在于在熱處理后，透明導(dǎo)電膜的電阻率比熱處理前減少，達(dá)到1.3×10^-4至4.5×10^-4Ω·cm。