[發(fā)明專利]場(chǎng)發(fā)射器件,其制造方法及使用它的顯示器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00800293.2
• 申請(qǐng)日: 2000-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN1296632A
• 公開（公告）日: 2001-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 和田直樹;則兼哲也;中井正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J1/30
• 分類號(hào): H01J1/30;H01J9/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 洪玲

1．一種場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于包括：

在襯底上形成的半導(dǎo)體層；

包括絕緣層和電極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏區(qū)和與漏區(qū)接觸的所述半導(dǎo)體層的一部分這兩者之一上形成的至少一個(gè)發(fā)射極。

2．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述發(fā)射極具有錐形尖端。

3．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于形成用于發(fā)射電子的集電極，形成的所述集電極與所述發(fā)射極和所述漏區(qū)不接觸。

4．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述襯底為無定形襯底。

5．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于還包括位于所述襯底與所述半導(dǎo)體層之間的雜質(zhì)擴(kuò)散防止層。

6．如權(quán)利要求5所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述雜質(zhì)擴(kuò)散防止層由二氧化硅和氮化硅之一的單層、其組合的多層及其復(fù)合層中的一種構(gòu)成。

7．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述半導(dǎo)體層主要由周期表中的Ⅳ族元素及Ⅳ族元素的組合的復(fù)合半導(dǎo)體中的一種構(gòu)成。

8．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述半導(dǎo)體層由周期表中的Ⅲ族元素和Ⅴ族元素的組合的復(fù)合半導(dǎo)體構(gòu)成。

9．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述半導(dǎo)體層是摻雜的p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體中的一種。

10．如權(quán)利要求1和9中任一個(gè)所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述半導(dǎo)體層是摻有硼、鋁、鎂和鋅之一的p型半導(dǎo)體；以及摻有磷、砷、銻、硅和硫之一的n型半導(dǎo)體中的一種。

11．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述半導(dǎo)體層具有無定形、氫處理無定形、多晶和氫處理多晶中的一種結(jié)構(gòu)。

12．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述絕緣層由二氧化硅和氮化硅之一的單層、其組合的多層及其復(fù)合層中的一種構(gòu)成。

13．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的金屬層和所有的金屬布線由包含質(zhì)量百分比至少為95的鋁、銅、鈦和鉭之一的單層及其組合的多層中的一種構(gòu)成。

14．如權(quán)利要求3所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于把蝕刻速度比所述集電極下的絕緣層的蝕刻速度低的絕緣層用作所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鈍化絕緣層。

15．如權(quán)利要求14所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于把二氧化硅用于所述集電極以下的絕緣層，并氮化硅用于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鈍化層。

16．如權(quán)利要求3所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵絕緣層比所述集電極以下的絕緣層厚。

17．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述發(fā)射極的表面覆蓋有在化學(xué)上不活潑的保護(hù)層，該保護(hù)層不降低電子發(fā)射特性。

18．如權(quán)利要求17所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述保護(hù)層由碳制成。

19．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于在所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的ⅰ)源和漏以及ⅱ)漏和柵之一之間插入電阻比源和漏高的一層。

20．如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述半導(dǎo)體是多晶層和包含應(yīng)變超晶格層及厚度小于100nm的無定形層之一的單晶層中的一種。

21．一種場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于包括：

在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的圓形和多邊形之一的漏區(qū)中形成的發(fā)射極陣列；

位于所述漏區(qū)周圍的環(huán)形和多邊形之一的柵極；以及

位于所述柵極周圍的源極。

22．如權(quán)利要求21所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于發(fā)射極置于所述漏區(qū)中同軸和旋轉(zhuǎn)對(duì)稱之一的位置處。

23．如權(quán)利要求21所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述發(fā)射極陣列具有環(huán)形和多邊形環(huán)之一的會(huì)聚電極，所述會(huì)聚電極旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地包圍所述發(fā)射極陣列。

24．如權(quán)利要求23所述的場(chǎng)發(fā)射器件，其特征在于所述會(huì)聚電極還起到電子發(fā)射的集電極的作用。