[發明專利]有機場致發光元件及其制造方法

無效

• 申請號: 00800151.0
• 申請日: 2000-02-15
• 公開（公告）號: CN1294834A
• 公開（公告）日: 2001-05-09
• 發明（設計）人: 川村久幸;中村浩昭;細川地潮
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: H05B33/22
• 分類號: H05B33/22;H05B33/14;H05B33/10;C09K11/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜日新

1．一種有機場致發光元件，至少有陽極層、有機發光層和陰極層，其特征在于：

在所述陽極層和有機發光層之間以及所述陰極層和有機發光層之間、或其中一個之間設有無機薄膜層；

在所述陽極層和有機發光層之間，設有作為第一無機薄膜層的無機薄膜層的情況下，使該第一無機薄膜層的中間能級為比所述有機發光層的離子化勢能小的值；

在所述陰極層和有機發光層之間，設有作為第二無機薄膜層的無機薄膜層的情況下，使該第二無機薄膜層的中間能級為比所述有機發光層的電子親合力大的值；

同時通過所述第一無機薄膜層的中間能級和第二無機薄膜層的中間能級或其中任何一方的中間能級來進行電荷注入。

2．如權利要求1所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述第一無機薄膜層和第二無機薄膜層或其中任何一方的無機薄膜層包含從下述A組中選擇的至少一種化合物和從B組中選擇的至少一種化合物；

A組：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg、Al、Ba、K、Li、Na、Ca、Sr、Cs、Rb的硫族化合物或它們的氮化物；

B組：周期率表5A～8族的化合物。

3．如權利要求1或2所述的有機場致發光元件，其特征在于，在所述第一無機薄膜層或第二無機薄膜層的能帶隙的值為Ba，所述有機發光層的能帶隙的值為Bh時，滿足Ba＞Bh的關系。

4．如權利要求2或3所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述A組的無機化合物為Si、Ge、Sn、Zn、Cd、Al和Mg的硫族化合物或其氮化物。

5．如權利要求2～4中任一項所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述B組的無機化合物為Ru、V、Mo、Re、Pd和Ir的氧化物。

6．如權利要求2～5中任一項所述的有機場致發光元件，其特征在于，在所述第一和第二無機薄膜層的總量為100％原子時，所述B組的無機化合物的含量為0．1～50原子％范圍內的值。

7．如權利要求1～6中任一項所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述第一和第二無機薄膜層的膜厚為1～100nm范圍內的值。

8．一種有機場致發光元件，至少有陽極層、有機發光層和陰極層，其特征在于：

所述陽極層和陰極層或其中任何一方的電極層含有從下述A-1組中選擇的至少一種無機化合物和從B-1組中選擇的至少一種化合物；或從下述A-2組中選擇的至少一種無機化合物和從B-2組中選擇的至少一種化合物；

A-1組：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg、Al、Ba、K、Li、Na、Ca、Sr、Cs、Rb的硫族化合物或它們的氮化物；

B-1組：周期率表5A～8族的無機化合物、或碳；

A-2組：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg、Al、Ba、K、Li、Na、Ca、Sr、Cs、Rb的硫族化合物或它們的氮化物；

B-2組：周期率表5A～8族的無機化合物、Si的硫族化合物或氮化物以及碳。

9．如權利要求8所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述陽極層和陰極層或其中一方的電極層的電阻率值為低于1Ω·cm的值。

10．如權利要求8或9所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述A-1組或A-2組的無機化合物為Sn、In和Zn的硫族化合物或它們的氮化物。

11．如權利要求8～10中任一項所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述B-1組或B-2組的化合物為Ru、Re、V、Mo、Pd和Ir的氧化物。

12．如權利要求8～11中任一項所述的有機場致發光元件，其特征在于，在所述陽極層或陰極層的總量為100原子％時，所述B-1組或B-2組的化合物含量為0．5～30原子％范圍內的值。

13．如權利要求8～12中任一項所述的有機場致發光元件，其特征在于，所述電極層的膜厚為1～100nm范圍內的值。