[實用新型]具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址液晶光閥

無效

• 申請號: 00264590.4
• 申請日: 2000-12-15
• 公開（公告）號: CN2458641Y
• 公開（公告）日: 2001-11-07
• 發明（設計）人: 杜丕一;韓高榮;壽瑾琿
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133
• 代理公司: 浙江大學專利代理事務所
• 代理人: 張法高

本實用新型涉及一種空間光調制器，尤其涉及一種具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址反射型液晶光閥。

與本實用新型有關的空間光調制器，主要包括用光導層作光敏材料并在反射模式下工作的光選址空間光調制器；以TFT作為基本控制單元的有源矩陣選址反射模式空間光調制器。對第一類光閥，Boswell等，首先于1977年4月16日申請專利(US.Pat.4019807)，這種光閥以硫化鎘作光導層，碲化鎘為阻光層及MgF₂/ZnS為介質反射層。隨后于1989年1月24日由Sterling申請了專利(U.S.Pat.4799773)提出了新一代以a-Si∶H為光敏層CdTe作阻光層，SiO₂/TiO₂為多層介質鏡的反射式液晶光閥，至1992年1月22日，由Slobdin申請專利(U.S.Pat.5084777)，提出了用a-SiGe∶H作光閥的阻光層，解決了阻光層與a-Si∶H光導層的結合問題。1993年由我們直接申請了采用過渡改性結構非晶硅作光敏層的反射式液晶光閥專利(China?Pat:ZL93108193.9)口以晶態薄膜作為阻光層的反射式液晶光閥專利(China?Pat:ZL93116734.5)，更進一步改善了光選址反射式液晶光閥的性能。總的來看這類光閥至今已發展得比較成熟。對于第二類光閥，其反射模式多數用于弱光條件，報道有直接在背電極上鍍高反射的鋁等材料進行反射。

考慮到在大屏幕投影器件中，第一類光選址光閥，雖然制備方便，但由于它的成象調制靠其它光信號寫入，系統體積大，又消耗能源且最終的信號取自光導層傳遞來的信號，受光閥結構及現行傳遞模式的限制，很難進一步提高對比度；面對第二類直接可由電路選址的光閥，雖然做成的系統體積小，又易于寫入信號的直接控制，且由于近年來TFT制備技術的完善，性能也進一步提高，但由于這類光閥，特別象對由有源矩陣驅動的(如TFT-LCD)光閥，其TFT本身對光照比較敏感、性能受光影響較嚴重，尤其是在大屏幕投影時的強光照射下，這種影響就更大，因而有必要對這類光閥進行更多的研究。

本實用新型的目的是提供一種大屏幕投影用電選址反射型液晶光閥。

為了達到上述目的，本實用新型采取下列措施：

大屏幕投影用電選址反射型液晶光閥，它依次包括光學玻璃，透明導電膜，定向層，液晶層，定向層，控制基板，所說的定向層與控制基板之間設有介質反射鏡和阻光層。

另一種具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址液晶光閥，它依次包括光學玻璃，透明帶狀電極，定向層，液晶層，定向層，透明帶狀電極，基板，所說的定向層與透明帶狀電極之間設有介質反射鏡。

本實用新型與已有技術相比較具有顯著效果：

1)復合納米晶粒薄膜阻光層光吸收效率高，完全吸收了透過介質鏡的部分光(盡管透過部分甚至小于0.1％，但若用于大屏幕投影時，光強高達數十萬Lx時，這部分光將無法忽略)，很好地解決了強光下工作對控制元件的影響。

2)由于這種薄膜中大量的與膜厚尺度相當的晶粒的存在，可控制高的吸收率和電導率，而橫向則更趨于絕緣體，這既克服了由于驅動信號在薄膜厚度方向過多地產生壓降而降低效率，又防止了在某些結構中引起橫向電荷擴散而使分辨率下降。

3)考慮了液晶光閥在TFT表面若整個覆蓋有鈍化層(如氮化硅)，而阻光層本身則是由Si、N、C等復合成的薄膜，因而，本光閥設計使阻光層的晶格結構與氮化硅等匹配較好，膜層結合牢固，使用耐久性好。

4)考慮到利用Si、N、C等復合薄膜制成的阻光層材料的晶格結構，這時可選用SiO₂/TiO₂硬膜多層介質鏡反射層，兩者匹配好，結合力強，使用壽命長。

下面結合附圖作詳細說明。

圖1是有源矩陣大屏幕投影用具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址液晶光閥結構示意圖。

圖2是無源矩陣大屏幕投影用具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址液晶光閥結構示意圖。

一種具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址液晶光閥，它依次包括光學玻璃9，透明導電膜8，定向層7，液晶層6，定向層5，控制基板1、2，所說的定向層5與控制基板1、2之間設有介質反射鏡4。

另一種具有介質反射鏡和納米復合薄膜阻光層的電選址液晶光閥，它依次包括光學玻璃20，透明帶狀電極19，定向層18，液晶層17，定向層16，透明帶狀電極13，基板12，所說的定向層16與透明帶狀電極13之間設有介質反射鏡15。