[實用新型]一組可控硅投切多路電容補償裝置無效
| 申請號: | 00249080.3 | 申請日: | 2000-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN2442437Y | 公開(公告)日: | 2001-08-08 |
| 發明(設計)人: | 劉建新 | 申請(專利權)人: | 劉建新 |
| 主分類號: | H02J3/18 | 分類號: | H02J3/18 |
| 代理公司: | 江西省專利事務所 | 代理人: | 張文 |
| 地址: | 518031 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一組 可控硅 投切多路 電容 補償 裝置 | ||
本實用新型涉及無功補償設備,尤其是涉及一種一組可控硅投切多路電容補償裝置。
在自動無功補償柜中,通常投切電容有兩種方法,一種采用交流接觸器投切,另一種采用可控硅作開關元件投切,但這兩種方法都有其不足之處。交流接觸器投切電容會產生很大涌流,故障率高;可控硅過零投切,雖然無涌流,但成本高,功耗大,并產生諧波。
本實用新型的目的在于提供一種投切電容無涌流、運行時無諧波、故障率低、功耗小、成本低的一組可控硅投切多路電容補償裝置。
本實用新型的目的是這樣實現的:本實用新型包括控制器、電容和交流接觸器,特征是在交流接觸器和三相電源之間串接有一組由雙向可控硅模塊、常開開關和常閉開關組成的可控硅控制電路。
該可控硅控制電路可投切兩路或兩路以上的電容。
本實用新型采用一組可控硅控制電路在控制器的控制下可轉換投切多路電容,使電容在交流接觸器閉合下運行,可控硅僅在投切時接入主回路中,因此本實用新型具有投切電容無涌流、運行時無諧波、故障率低、功耗小、成本低的優點,廣泛適用于各種全自動無功補償柜中。
圖1為本實用新型的結構示意圖。
下面結合實施例并對照附圖對本實用新型作進一步詳細說明。
本實用新型包括控制器、電容C1、C2、交流接觸器KM1、KM2,在三相電源線a、b、c和交流接觸器KM1之間、三相電源線a、b、c和交流接觸器KM2之間均串接有同一組由兩個可控硅模塊KQ1、KQ2、聯動常開開關QM1-1、QM1-2、聯動常閉開關BM1-1、BM1-2組成的可控硅控制電路,其中常開開關QM1-1的一端接三相電源a相線的接點A3,另一端接交流接觸器KM1的開關接點A2,雙向可控硅模塊KQ1的一端與接點A3相接,另一端與接點A1相接,常閉開關BM1-1串接在接點A2和A1之間,常開開關QM1-2的一端接三相電源b相線的接點B3,另一端接交流接觸器KM1的開關接點B2,雙向可控硅模塊KQ2的一端與接點B3相接,另一端與接點B1相接,常閉開關BM1-2串接在接點B2和B1之間,交流接觸器KM1的開關接點X1接三相電源的c相線,常開開關QM2-1串接在接點A3和交流接觸器KM2的開關接點A4之間,常開開關QM2-2串接在接點B3和交流接觸器KM2的開關接點B4之間,常閉開關BM2-1串接在接點A1和A4之間,常閉開關BM2-2串接在接點B1和B4之間,交流接觸器KM2的開關接點X2接三相電源的c相線。
依次類推,常開開關QMn-1(n≥2)串接在接點A3和交流接觸器KMn的開關接點An-2之間,常開開關QMn-2串接在接點B3和交流接觸器KMn的開關接點Bn-2之間,常閉開關BMn-1串接在接點A1和An-2之間,常閉開關BMn-2串接在接點B1和Bn-2之間,交流接觸器KMn的開關接點X2接三相電源的c相線。
雙向可控硅模塊KQ1、KQ2、交流接觸器KM1、KM2、……KMn、常開開關QM1-1、QM1-2、QM2-1、QM2-2、……QMn-1、QMn-2、常閉開關BM1-1、BM1-2、BM2-1、BM2-2、……BMn-1、BMn-2均受控制器控制。
本實用新型的轉換投切過程如下:
1、投切電容C1過程:先將交流接觸器KM1閉合,雙向可控硅模塊KQ1、KQ2電壓過零導通,電容C1通過交流接觸器KM1、雙向可控硅模塊KQ1、常閉開關BM1-1及雙向可控硅模塊KQ2、常閉開關BM1-2與三相電源接通,電容C1投入補償無功,然后常開開關QM1-1、QM1-2閉合,雙向可控硅模塊KQ1、KQ2斷開,常閉開關BM1-1、BM1-2也隨后斷開,電容C1轉接在常開開關QM1-1、QM1-2、交流接觸器KM1下運行,可控硅模塊KQ1、KQ2退出。
2、投切電容C2過程:先將KM2閉合,KQ1、KQ2電壓過零導通,C2投入補償無功,然后QM2-1、QM2-2閉合,KQ1、KQ2斷開,BM2-1、BM2-2也隨后斷開,C2轉接在QM2-1、QM2-2、KM2下運行,KQ1、KQ2退出。
重復以上過程,可根據需要投切n路電容。
3、切除電容C1過程:先將BM1-1、BM1-2閉合,KQ1、KQ2導通,QM1-1、QM1-2斷開,C1轉回到KQ1、KQ2可控硅回路中,KQ1、KQ2電流過零切除C1,KM1斷開,完成C1切除過程。
4、切除電容C2過程:先將BM2-1、BM2-2閉合,KQ1、KQ2導通,QM2-1、QM2-2斷開,C2轉回到KQ1、KQ2回路中,KQ1、KQ2電流過零切除C2,KM2斷開,完成C2切除過程。
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