[實用新型]中頻反應濺射鍍膜設備中反應氣體的供氣裝置

無效

• 申請號: 00248946.5
• 申請日: 2000-08-18
• 公開（公告）號: CN2443972Y
• 公開（公告）日: 2001-08-22
• 發明（設計）人: 許生;高文波;周海軍;徐龍海;范垂禎
• 申請（專利權）人: 深圳威士達真空系統工程有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 深圳市專利服務中心
• 代理人: 王雄杰

本實用新型涉及一種鍍膜設備中的供氣裝置，特別適合于用作中頻反應濺射制備SiO₂膜設備中的供氧裝置。

中頻反應濺射鍍膜系統中反應氣體的供氣裝置設計對鍍膜系統所需形成的穩定的閉環控制將起到關鍵性的作用，現有反應濺射鍍膜系統中反應氣體的供氣裝置設計難以滿足工藝要求，其存在的不足在于：1、布氣管道提供到基片表面的反應氣體難以做到均勻，造成鍍到基片上的鍍膜成分及膜厚不均勻；2、部分反應氣體未布到基片表面而是到了靶表面，造成靶中毒；3、壓電閥對反應氣體流量的調控必須很快反映到基片表面，要求壓電閥以后的管道盡可能的短，但許多供氣裝置由于結構上的原因，難以做到。

本實用新型的目的意在克服上述現有技術的不足，提出一種布氣均勻、靶中毒現象得到有效抑制的中頻反應濺射鍍膜設備中反應氣體的供氣裝置。

實現上述目的的技術方案：一種中頻反應濺射鍍膜設備中反應氣體的供氣裝置，包括真空室、進氣管和壓電閥，在真空室內置有靶、反應氣體布氣管和工作氣體布氣管，接有壓電閥的進氣管與反應氣體布氣管相通，在真空室內兩靶的對稱軸線上置有管道兩邊呈對稱開有若干通氣出孔的氣體布氣管，兩根工作氣體布氣管置于兩靶的外側軸線上，工作氣體布氣管上均勻開有布氣孔。

真空室內有具折角的擋板，反應氣體布氣管置于擋板的折角內。

進氣管與反應氣體布氣管在兩只靶的幾何對稱中心相通。

壓電閥置于貼近真空室外壁處。

采用上述方案，由于在真空室內兩靶的對稱軸線部位布氣，保證在靶的長邊方向布氣均勻，布氣管道提供到基片表面的反應氣體做到了均勻布氣，為鍍到基片上的鍍膜成分及膜厚均勻提供了先決條件。由于上述結構合理，本實用新型經實際以硅作靶，氧氣作反應氣體，氬氣作工作氣體，基片玻璃運行表明，硅的氧化絕大部分都在基片表面進行，氧氣分子較少到達硅靶表面，若在氧氣布氣管上加一折角擋板，氧氣分子通過擋板折射到基片表面，氧氣分子到達硅靶表面的幾率大大減小，硅靶中毒現象進一步得到有效抑制。另外，壓電閥貼近真空室外壁處，保證了使壓電閥對氧氣流量的調控很快反映到基片表面。本實用新型完全滿足透明導電玻璃對鍍制SiO₂膜層的布氣質量要求。

下面結合附圖對本實用新型作進一步的說明：

圖1是本實用新型的一種結構圖。

圖2是圖1中的A-A視圖。

圖3是圖1中反應氣體布氣管在幾何中心處的橫向剖視圖。

實施例：結合圖1～圖3，一種中頻反應濺射鍍膜設備中反應氣體的供氣裝置，包括真空室1、靶2、反應氣體(氧氣)布氣管6、具折角的擋板7、反應氣體進氣管8、壓電閥4和工作氣體(氬氣)布氣管5。在真空室1內兩靶2的對稱軸線上有管道兩邊呈對稱開有若干通氣出孔的反應氣體布氣管6，反應氣體布氣管6置于擋板7的折角內，接有壓電閥4的反應氣體進氣管8與反應氣體布氣管8在兩只靶2的幾何對稱中心相通，擋板7的相應處開有通孔，壓電閥4接于貼近真空室1的外壁處，兩根工作氣體布氣管5置于兩靶2的外側軸線上，工作氣體布氣管5上均勻開有布氣孔。工作時，通過外接中頻電源對兩個硅靶2進行電極濺射，在從工作氣體布氣管中出來的氬氣作用下，濺射出的硅與從氧氣布氣管6的通孔出來的通過擋板7折射到基片3表面的氧氣分子進行氧化，在基片3上鍍制成導電玻璃的SiO₂膜層，本實用新型對中頻反應鍍制SiO₂膜層成分及膜厚均勻起到關鍵作用。