[實用新型]多重裝置同時供電的供電插座

無效

• 申請號: 00246211.7
• 申請日: 2000-07-31
• 公開（公告）號: CN2438235Y
• 公開（公告）日: 2001-07-04
• 發明（設計）人: 施克文
• 申請（專利權）人: 施克文
• 主分類號: H01R13/66
• 分類號: H01R13/66;H01R25/00;H02B1/24;H02H3/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平,朱黎光

1、一種多重裝置同時供電的供電插座，其包括：

一用來連接主負載的主插孔、次插孔、及控制電路；其特征在于：該控制電路設有：

一變壓器，其初級與主插孔串聯后接電源；

一電壓整流器，其輸入端連接到變壓器的次級；

一臨界回路，其輸入連接到電壓整流器，其輸出接繼電器線圈；當電壓整流器的輸出超過預定臨界值時，臨界回路開啟，表示與主插孔連接的主負載處在開啟的狀態；

一繼電器，其線圈接臨界回路輸出，繼電器觸點接電源與次插孔，當臨界回路開啟時，繼電器線圈被致能，繼電器觸點閉合，而使次插孔接電源；

至少一個次插孔，其與繼電器觸點連接，當連接到主插孔的主負載開啟時，次插孔經由繼電器觸點接受電流。

2、如權利要求1所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：另包含至少一個與主插孔及與之串聯的變壓器初級相并聯于電源的連續電源插孔。

3、如權利要求2所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：其中所述的臨界回路是由二電阻器，齊納二極管，及晶體管構成，其中：一電阻與齊納二極管構成晶體管的基極電路，另一電阻為晶體管集電極電阻；晶體管集電極即臨界回路的輸出接與繼電器線圈連接的MOSFET的柵極，MOSFET在臨界回路開啟時導通，使繼電器線圈導通，而齊納二極管設定預定臨界值。

4、如權利要求2所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：其中所述的臨界回路包含，發光二極管，及CMOS反相器；CMOS反相器的輸出接MOSFET的柵極，CMOS反相器的輸入接電阻與發光二極管，電阻與發光二極管的另端分別接電壓整流器的二輸出端；MOSFET在臨界回路開啟時導通電流到繼電器線圈，而發光二極管及CMOS反相器設定預定臨界值。

5、如權利要求4所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：CMOS反相器是為兩個串聯的級段，另包括至少二個與CMOS反相器連接的電阻器，其中一電阻器串接于CMOS反相器的輸入，另一電阻器與第一級段的CMOS反相器并聯，以在臨界回路中產生遲滯效應。

6、如權利要求2所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：其中所述的臨界回路的輸出接包括至少二個可控硅SCRs，二個控制極電阻器，及二個與可控硅SCRs并聯的二極管，以構成一靜態開關回路。

7、如權利要求2所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：其中所述的臨界回路的輸出接包括一連接到繼電器線圈的三端開關，該三端開關的控制極靈敏度設定預定臨界值。

8、一種多重裝置同時供電的供電插座，其包括：

一用來連接主負載的主插孔、次插孔、及控制電路；其特征在于：該控制電路設有：

一變壓器，其初級與主插孔串聯后接電源；

一電壓整流器，其輸入端連接到變壓器的次級；

一臨界回路，其輸入連接到電壓整流器，由于連接到主插孔的主負載的開啟，電壓整流器的輸出超過一預定臨界值時，該臨界回路開啟；

一雙極閘控晶體管，該雙極閘控晶體管的控制極連接到臨界回路的輸出，當臨界回路開啟時，該晶體管導通電流，而使電流流通；

至少一個次插孔，其連接到雙極閘控晶體管，當連接到主插孔的主負載開啟時，次插孔接受該晶體管導通的電流。

9、如如權利要求8所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：另包含至少一個連續電源插孔，其操作無關于連接到主插孔的主負載處在開啟或關閉的狀態。

10、一種多重裝置同時供電的供電插座，其包括：

一用來連接主負載的主插孔、次插孔、及控制電路；其特征在于：該控制電路設有：

一變壓器，其初級與主插孔串聯后接電源；

一電壓整流器，其輸入端連接到變壓器的次級；

一臨界回路，其輸入連接到電壓整流器，由于連接到主插孔的主負載的開啟，在電壓整流器的輸出超過一預定臨界值時，臨界回路開啟；

至少一個次插孔，其連接到晶體管，當連接到主插孔的主負載開啟時，次插孔經由晶體管接收電流。

11、如如權利要求10所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：其中所述的臨界回路的輸出至少一個連接一個SCRs，以產生遲滯效應。

12、如如權利要求10所述的多重裝置同時供電的供電插座，其特征在于：其中所述的臨界回路的輸出接一連接到繼電器線圈的三端開關，三端開關的控制極靈敏度設定預定臨界值。