[實用新型]自控式靜電流體處理器無效
| 申請號: | 00235764.X | 申請日: | 2000-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN2430432Y | 公開(公告)日: | 2001-05-16 |
| 發明(設計)人: | 戴繼嵐;馬麗云 | 申請(專利權)人: | 戴繼嵐 |
| 主分類號: | C02F1/48 | 分類號: | C02F1/48;//C02F10302;10308;10300 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100038 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自控 靜電 流體 處理器 | ||
本實用新型涉及一種流體處理設備,更具體地說是利用靜電場進行流體處理并可自動控制處理器工作參數的自控式靜電流體處理器。
在專利號為8219157、名稱為“靜電水垢控制器”和專利號為ZL?92236207.6、名稱為“靜電水處理器”的中國專利中已公開了幾種利用靜電場進行水處理的靜電水處理器,其主要功能為防垢、除垢、殺菌、滅藻。實踐證明,任何使用系統的流體介質成分、介質溫度和流量等介質條件都可能隨時變化,而上述幾種處理器的工作參數不能隨時調節以適應使用系統介質條件的變化,從而其性能和處理效果都不夠穩定,易隨被處理介質條件的變化而改變,也不能滿足使用系統現代化管理的要求。此外,上述“靜電水處理器”專利雖對陽極結構和陽極絕緣材料進行了較大改進,不用聚四氟乙烯絕緣套管,而改為繞線芯棒外整體澆注一層環氧樹脂絕緣層,陽極芯棒與絕緣層之間無間隙,降低了能耗,降低了加工成本,但制造中對芯棒繞線的均勻度、絕緣和防潮要求較高,而且澆注必須用模具,加工仍嫌復雜。
本實用新型的目的是提供一種陽極結構簡單、易于加工且成本低廉并可自動調節工作狀態以始終保證最佳處理效果的自控式靜電流體處理器。
為實現上述目的,本實用新型包括筒狀陰極殼體、位于殼體中心的陽極和自控高壓發生器;在殼體兩端分別連有進口管和出口管,它們與殼體位于同一中心線上,構成直通式流體處理器;陰極殼體由鍍鋅鋼管制成;陽極由兩端封焊的鋼管制成的芯管和密繞在芯管外的聚全氟乙丙烯薄膜繞包扁銅線組成;芯管前后兩端分別由前固定環和前支撐片及后固定環和后支撐片固定在殼體兩端堵頭的內表面上,前固定環內裝有前絕緣座,后固定環內裝有后絕緣套,使陽極與陰極殼體絕緣;前固定環的前端迎流面處裝有塑料制成的分流錐,以使進流流態穩定,并減少阻力損失;自控高壓發生器裝于陰極殼體外表面靠近出口管一端;在進口管上裝有含鋅合金制成的犧牲陽極,其上端通過犧牲陽極套管和進口管與殼體連接,并與殼體良好導電,其下端懸于被處理介質中,以不阻礙進口介質流動為宜。裝設犧牲陽極,不僅能提高流體處理器殼體的防腐蝕能力,還可提高使用設備的防腐蝕能力,使本實用新型的適用范圍擴大至海水、苦咸水、地熱水、溫泉水、工業廢水、污水及其他含各種雜質的介質和腐蝕性介質的處理。
本實用新型還包括自動控制裝置。該裝置由裝于出口管的壓力傳感器(PS)、離子濃度傳感器(IS)和控制器以及自控高壓發生器構成,壓力傳感器(PS)與裝在自控高壓發生器內的開關電路相連,離子濃度傳感器(IS)與控制器連接、然后再與自控高壓發生器輸出端的微型可逆電機(RM)相連。離子濃度傳感器采用同心圓柱型探頭,其外探頭由鈦管制成,其內探頭由鈦棒制成,按不同用途,外探頭的內外表面和內探頭的外表面均涂有一層氧化釕或氧化銥、氧化鉑;為使探頭內外被測介質均勻,在外探頭上開有連通孔;內外探頭通過聚四氟乙烯絕緣接頭與緊固螺母連接,再由緊固螺母固定在出口管上的離子濃度傳感器套管內,探頭下端懸于介質中,以不阻礙介質流動為宜;導線從緊固螺母的中心孔引出,并在中心孔底部灌封環氧樹脂止水和絕緣。壓力傳感器(PS)采用上表面覆有絕緣膜的上電極板與下表面覆有絕緣膜的下電極板之間夾一層感壓導電橡膠(RP)制成,上下絕緣膜為聚四氟乙烯膜,上下電極板則為表面涂有一層氧化釕的鈦板;上述五層材料按上絕緣膜、上電極板、感壓導電橡膠(RP)、下電極板和下絕緣膜的順序裝于聚四氟乙烯絕緣盒內,該盒與緊固螺母連接;再通過緊固螺母將探頭固定在出口管上的壓力傳感器套管內,探頭下端與介質接觸;絕緣盒底部開有一個較大的孔,與被處理介質連通;導線從緊固螺母的中心孔引出,并在中心孔底部灌封環氧樹脂止水和絕緣。
本實用新型與已有的靜電水處理器相比,陽極結構更簡化,加工更簡便,成本更低廉;適用范圍更廣,可適用于各種流體介質及腐蝕性介質的處理;處理器的工作參數可根據介質成分、介質溫度和流量等條件的變化自動調節,使處理器始終處于最佳工況,以獲得最佳處理效果;可滿足使用系統現代化管理的要求。
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的描述。
圖1為本實用新型自控式靜電流體處理器第一個具體實施方式的剖視圖。
圖2為本實用新型自控式靜電流體處理器另一個具體實施方式的布置圖。
圖3為離子濃度傳感器(IS)的剖視圖。
圖4為壓力傳感器(PS)的剖視圖。
圖5為自控高壓發生器電路圖。
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