[實用新型]一種化合物半導體組件電極結構無效
| 申請號： | 00234366.5 | 申請日： | 2000-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN2419688Y | 公開（公告）日： | 2001-02-14 |
| 發明（設計）人： | 宋盈徹;劉文明 | 申請（專利權）人： | 華上光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天國際專利商標代理有限公司 | 代理人： | 鄭霞,楊淑媛 |
| 地址： | 臺灣省桃*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 半導體 組件 電極 結構 | ||
【權利要求書】：
1、一種化合物半導體組件電極結構，其包含一化合物半導體組件，位于透明導電層上的一正極及一位于露出的電子層表面，亦即未被臺地狀電洞層覆蓋的電子層表面上的負極；所述的化合物半導體組件包含一基板，覆蓋于此基板上的電子層，覆蓋于此電子層的部份表面上的臺地狀電洞層，覆蓋在此電洞層上的透明導電層；
其特征在于：該電極結構的負極包含一個將正極圍繞的圍繞部份，此圍繞部份是位于露出的電子層表面周緣。
2、根據權利要求1的化合物半導體組件電極結構，其特征在于：該電極結構的正極包含一個自其旁邊延伸的分支部份。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華上光電股份有限公司，未經華上光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/00234366.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：路面冰雪破碎器
- 下一篇：多級散熱結構的散熱器
