[實(shí)用新型]一種用于X射線光刻的相移掩模無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00223443.2 | 申請日： | 2000-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN2432610Y | 公開（公告）日： | 2001-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮伯儒;張錦;侯德勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 中國科學(xué)院成都專利事務(wù)所 | 代理人： | 張一紅,王慶理 |
| 地址： | 61020*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 射線 光刻 相移 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種用于X射線光刻的相移掩模，包括對X射線透明的基片(2)，其特征在于：基片(2)上是具有能產(chǎn)生180度相位延遲的一定厚度的對X射線透明的圖形膜層(3)。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線光刻的相移掩模，其特征在于：其基片(2)和基片上的圖形膜層(3)是同一種或不同種類的對X射線透明的材料(SixNy等)。
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G03 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
