[實(shí)用新型]高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00209590.4
• 申請(qǐng)日: 2000-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN2506050Y
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈裕豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈裕豐
• 主分類號(hào): H05B41/14
• 分類號(hào): H05B41/14
• 代理公司: 北京科興園專利事務(wù)所
• 代理人: 王蘊(yùn)

1、一種高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器，主要包括有低頻整流電路及脈沖發(fā)生器，該低頻整流電路主要包括有整流二極管D₁～D₄組成的整流電路及輸出電阻R₃兩輸出端，該脈沖發(fā)生器主要包括兩個(gè)晶體管GB₁、GB₂、脈沖變壓器B₁及串聯(lián)在脈沖變壓器B1輸出端的高頻電感L₂，其特征是：

該低頻整流電路輸入端串聯(lián)一阻抗回路I，并聯(lián)一阻抗回路II；該脈沖發(fā)生器的兩晶體管GB₁、GB₂與脈沖變壓器B₁的兩反饋繞組間分別串聯(lián)有電荷存儲(chǔ)時(shí)間均衡電路，在兩晶體管GB₁、GB₂的發(fā)射極分別串聯(lián)有一反饋電路R_A、R_B，在一晶體管GB₂發(fā)射極再連接一過(guò)溫度過(guò)功率保護(hù)電路。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器，其特征是：該阻抗回路I是由低頻整流電路輸入端串聯(lián)一低頻電感L₁，該低頻電感L₁兩端并聯(lián)一串聯(lián)有電阻R₁的電容C₁所構(gòu)成的并聯(lián)諧振阻抗電路；該阻抗回路II是由低頻電感L₁串聯(lián)電容C₂、電阻R₂組成的串聯(lián)諧振阻抗電路。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器，其特征是：該電荷存儲(chǔ)時(shí)間均衡電路是于脈沖發(fā)生器電路中的兩晶體管GB₁、GB₂的基極和發(fā)射極間分別并聯(lián)一只電容C₇、C₈，并在晶體管GB₁、GB₂的基極與脈沖變壓器B₁的反饋繞組間分別跨接串聯(lián)的電阻R₁₂、R₁₄與串聯(lián)的電阻R₁₃、R₁₅，在其串聯(lián)的電阻R₁₄、R₁₅兩端分別并聯(lián)有電容C₉、C₁₀。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器，其特征是：該反饋電路R_A、R_B是于脈沖發(fā)生器電路中兩晶體管GB₁、GB₂的發(fā)射極電路中分別串聯(lián)有負(fù)反饋電阻R₁₀、R₁₁。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器，其特征是：該過(guò)溫度過(guò)功率保護(hù)電路是于脈沖發(fā)生器電路中的一晶體管GB₂的發(fā)射極連接的負(fù)反饋電阻R₁₁兩端并聯(lián)一串聯(lián)的電阻R₈、整流二極管D₈及電阻R₉，該電阻R₉的兩端并聯(lián)一電解電容器C₆，該晶體管GB₂的集電極與低頻整流電路的直流供電負(fù)端R₃的一端并聯(lián)一在陽(yáng)極電路中串聯(lián)有限流電阻R₆的單向可控硅D₆，該可控硅D₆的柵極接在電阻R₈、R₉和電解電容器C₆的連接點(diǎn)上，該可控硅D₆的陰極接在低頻整流電路的直流供電負(fù)端R₃的一端。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠低畸變電子鎮(zhèn)流器，其特征是：該高頻電感L₂是采用可調(diào)圓形磁芯，于工型骨架上繞制而成，該磁芯導(dǎo)磁系數(shù)為2000。