[實用新型]基板的植球結構

無效

• 申請號: 00201588.9
• 申請日: 2000-01-31
• 公開（公告）號: CN2410742Y
• 公開（公告）日: 2000-12-13
• 發明（設計）人: 黃讌程;彭國峰;陳文銓;林有為;杜修文;葉乃華;施鴻文
• 申請（專利權）人: 勝開科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所
• 代理人: 章蔚強

本實用新型涉及一種基板的植球結構。

半導體晶片生產出來之后必需由各種方式來加以封裝成集成電路。其中較常見的有導線架(lead?frame)封裝及球點陣列(BGA，Ball?Grid?Array)封裝二種。其中BGA已成為市場主流，許多常用的集成電路，例如動態隨機存儲器(DRAM)、中央處理器(CPU)等都是用這類的封裝技術來封裝為單只的集成電路(IC)。

BGA封裝技術的優點在于可以在有限的集成電路的面積中，伸出更多的接腳，使得一個晶片可以函蓋更多功能的電路。尤其隨著制造能力的提升，這樣的需求是可實現的。

圖1為現有BGA的封裝的示意圖。BGA封裝的集成電路將晶片14植入在基板12上，接著連上金屬連接線13再以一封裝層15將晶片加以封裝，最后在基板另一面預留的植球結構(111)植上金屬球11。

圖2為現有植球結構111的示意圖。上半部為俯視圖，下半部為剖面側視圖。植球結構主要由焊接區22、非焊接區23及遮罩層21三部份所組成，焊接區22形成于基板12上，遮罩層21覆蓋在基板上。遮罩層21上的缺口界定出整個植球結構。這樣的結構下，遮罩層21并未覆蓋到焊接區22，且有一環非焊接區23裸露于外，所以通稱非遮罩式(Non-Mask)植球結構。金屬層則植入在遮罩層21的缺口上。這樣的作法在植球的時候助焊劑可以從裸露的非焊接區23揮發出去，有利助焊劑的排氣，因此植球容易，但附著力卻因此降低。

圖3為另一種現有植球結構111的示意圖。與圖2一樣，上半部為俯視圖，下半部為剖面側視圖。植球結構主要也是由焊接區32、非焊接區33及遮罩層31三部份所組成，焊接區32形成在基板12上，遮罩層31覆蓋于基板上，與圖2的差別在于，遮罩層31上的缺口只有使焊接區32裸露于外，非焊接區33則完全被遮罩層所覆蓋，未裸露于外。由于遮罩層31的缺口完全將非焊接區33覆蓋住，只用來界定焊接區32上的窗口，因此這種結構又稱遮罩式(Mask)式植球結構。這樣的作法可以使植球的附著力提升，不會有圖2植球之后可能會脫落的問題，但是在進行焊接時，因為助焊劑的揮發氣體不易排出，所以要焊上去比較困難。

本實用新型的目的在于提供一種基板的植球結構，它不但可以使助焊劑揮發的氣體可以順利排出而易于焊接，還維持焊接后的金屬球原有的附著力。

為達上述目的，本實用新型基板的植球結構，用以植入一金屬球，它包含：一基板，至少具有一焊接區及一非焊接區，該非焊接區毗鄰該焊接區；一遮罩層，罩于上述的基板上，它至少具有一對應于焊接區的缺口，該缺口使毗鄰焊接區的非焊接區的一部份裸露于外，非焊接區的另一部份被該遮罩層所遮蓋。

上述的基板的植球結構，其中，焊接區為金屬材料。

上述的基板的植球結構，其中，焊接區為圓形。

上述的基板的植球結構，其中，遮罩層的缺口至少具有一凹角。

上述的基板的植球結構，其中，凹角涵蓋焊接區及該非焊接區，并使焊接區的部份裸露于外。

上述的基板的植球結構，其中，基板為一半導體基板。

為達上述目的，本實用新型基板的植球結構，用以植入一金屬球，它包含一基板及一遮罩層，該基板至少具有一焊接區，該遮罩層至少具有一缺口，并覆蓋于基板上，該缺口至少具一凹角，使毗鄰焊接區的一非焊接區的一部份裸露于外，而該非焊接區的另一部份被該遮罩層所遮蓋。

上述的基板的植球結構，其中，焊接區為金屬材料。

上述的基板的植球結構，其中，焊接區為圓形。

由于采用了上述的技術解決方案，本實用新型基板的植球結構在遮罩層的缺口上有可供排氣的凹角，改善了金屬球植入的進行，而且在遮罩層上所有預留大的焊接區，可加強金屬球的附著力。另外由于植球易于進行，附著力又佳，所以本實用新型的植球結構可以提高植球的速度，從而提高生產效率。

下面結合實施例及附圖對本實用新型進行詳細說明。

圖1是現有BGA封裝集成電路示意圖。

圖2是現有基板植球結構之一示意圖。

圖3是現有基板植球結構之二示意圖。

圖4是本實用新型基板的植球結構的俯視示意圖。