[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件測(cè)試用接觸開關(guān)及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00136410.3 | 申請(qǐng)日: | 2000-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN1314703A | 公開(公告)日: | 2001-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丸山茂幸;松木浩久 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富士通株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01R31/28;G01R31/26 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 測(cè)試 接觸 開關(guān) 及其 制造 方法 | ||
1半導(dǎo)體器件測(cè)試用接觸開關(guān),其配置在半導(dǎo)體器件和測(cè)試用基板之間并使得該半導(dǎo)體器件可與該測(cè)試用基板電連接,其特征在于,包括:
絕緣基板,和
由設(shè)于該絕緣基板上的導(dǎo)電層形成的接觸電極;
該接觸電極由與所說半導(dǎo)體器件的電極接觸的第一接觸片,和與所說測(cè)試用基板的電極端子接觸的第二接觸片,以及將該第一接觸片與第二接觸片電連接起來的連接部所構(gòu)成。
2按著權(quán)利要求1所說的接觸開關(guān),其特征還在于:所說絕緣基板在所說接觸電極被形成之處具有開口,所說第一接觸片與所說第二接觸片的其一通過該開口從所說絕緣基板的一側(cè)伸向另一側(cè)。
3按著權(quán)利要求1或2所說的接觸開關(guān),其特征還在于:所說第一接觸片與所說第二接觸片相互分離開配置,所說連接部是作為一定形狀的配線模型將該第一接觸片與第二接觸片電連接起來的。
4按著權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所說的接觸開關(guān),其特征還在于:所說第一接觸片與所說第二接觸片分別是按著其長(zhǎng)度方向由所說絕緣基板中心放射狀散開的方向排列配置。
5一種配置在半導(dǎo)體器件和測(cè)試用基板之間并使得該半導(dǎo)體器件可與該測(cè)試用基板電連接的接觸開關(guān)的制造方法,其特征在于:包括
在絕緣基板上設(shè)置導(dǎo)電層的工序,和
對(duì)該導(dǎo)電層進(jìn)行加工,以形成由與所說半導(dǎo)體器件的電極接觸的第一接觸片和與所說測(cè)試用基板的電極端子接觸的第二接觸片以及將該第一接觸片與該第二接觸片電連接起來的連接部所構(gòu)成的接觸電極的工序,以及
使所說第一接觸片在所說基板的第一側(cè)面一側(cè)以一定角度屈曲并同時(shí)使所說第二接觸片在所說第一側(cè)面相反一側(cè)的第二側(cè)面一側(cè)以一定角度屈曲的工序。
6按著權(quán)利要求5所說的制造方法,其特征還在于:
所說導(dǎo)電層設(shè)置工序包括向所說絕緣基板表面粘貼由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膜狀體的工序,
所說接觸電極形成工序包括部分地除去粘貼于所說絕緣基板上的所說導(dǎo)電層以形成所說第一接觸片和所說第二接觸片以及所說連接部的工序。
7按著權(quán)利要求5所說的制造方法,其特征還在于:
所說導(dǎo)電層設(shè)置工序包括向所說絕緣基板表面沉積導(dǎo)電性材料以形成所說導(dǎo)電層的工序,
所說接觸電極形成工序包括部分地除去形成于所說絕緣基板上的所說導(dǎo)電層以形成所說第一接觸片和所說第二接觸片以及所說連接部的工序。
8按著權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所說的制造方法,其特征還在于:在所說第一接觸電片和第二接觸片被形成之處,于所說絕緣基板上形成開口的工序。
9一種配置在半導(dǎo)體器件和測(cè)試用基板之間并使得該半導(dǎo)體器件可與該測(cè)試用基板電連接的接觸開關(guān)的制造方法,其特征在于:包括
對(duì)絕緣基板進(jìn)行加工,以形成與所說半導(dǎo)體器件電極接觸的第一接觸片和與所說測(cè)試用基板的電極端子接觸的第二接觸片的工序,和
在所說第一接觸片和所說第二接觸片上形成導(dǎo)電層,并同時(shí)利用該導(dǎo)電層形成把所說第一接觸片和所說第二接觸片電連接起來的連接部的工序,以及
使所說第一接觸片在所說絕緣基板的第一側(cè)面一側(cè)以一定角度屈曲并同時(shí)使所說第二接觸片在所說第一側(cè)面相反一側(cè)的第二側(cè)面一側(cè)以一定角度屈曲的工序。
10按著權(quán)利要求9所說的制造方法,其特征還在于:所說絕緣基板加工工序包括在所說絕緣基板上形成開口以形成所說第一接觸片和所說第二接觸片的工序。
11按著權(quán)利要求5至10中任一項(xiàng)所說的制造方法,其特征還在于:進(jìn)一步還包括讓至少有一方具有彎曲或屈曲平面形狀的所說第一和/或第二接觸片,在該具有彎曲或屈曲平面形狀的接觸片與所說連接部相連之處,相對(duì)于所說絕緣基板成一定角度屈曲的工序。
12按著權(quán)利要求5至11中任一項(xiàng)所說的制造方法,其特征還在于:進(jìn)一步還包括有在所說導(dǎo)電層表面設(shè)置至少一層表面層以改變所說接觸電極特性的工序。
13按著權(quán)利要求5至12中任一項(xiàng)所說的制造方法,其特征還在于:進(jìn)一步還包括有在所說第一接觸片與所說第二接觸片各自同所說連接部相連之處設(shè)置加強(qiáng)材的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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