[發明專利]電子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法

無效

• 申請號: 00136244.5
• 申請日: 2000-12-27
• 公開（公告）號: CN1302081A
• 公開（公告）日: 2001-07-04
• 發明（設計）人: 小日向秀夫;山下浩
• 申請（專利權）人: 日本電氣株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 陳瑞豐

1．一種電子束掩膜，具有與預定設計圖樣對應的多個孔徑，用于以電子束按間歇式投影曝光，

其特征在于，至少一個需要加固的孔徑被填以由透射電子束材料制成的薄膜。

2．一種如權利要求1所述的電子束掩膜，其特征在于，至少一個孔徑的形狀圍繞著一個孤立的模板部分，整個就像一個環形，或者幾乎整體像一個有橋的環形，即具有使所述孤立的模板部分與模板的其它部分連接的橋。

3．一種如權利要求1所述的電子束掩膜，其特征在于，構成所述薄膜的材料是碳、碳化硅或氮化硅的混合物。

4．一種如權利要求2所述的電子束掩膜，其特征在于，構成所述薄膜的材料是碳、碳化硅或氮化硅的混合物。

5．一種如權利要求1所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。

6．一種如權利要求2所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。

7．一種如權利要求3所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。

8．一種如權利要求4所述的電子束掩膜，其特征在于，遮蔽電子束的模板部分由金屬制成。

9．一種電子束掩膜的制造方法，用于制造具有多個與預定設計圖樣對應之孔徑的電子束掩膜，用于以電子束間歇投影曝光，所述方法包括以下步驟：

在至少一個需要加固的孔徑下面制成氧化膜；

在所述至少一個孔徑內制成透過電子束的薄膜；

在形成所述薄膜之后，除去所述氧化膜。

10．一種如權利要求9所述的電子束掩膜制造方法，其特征在于，所述形成薄膜的步驟包括以比至少一個孔徑形狀大的表面圖樣在薄膜上制圖。

11．一種如權利要求9所述的電子束掩膜制造方法，其特征在于，所述方法在所述薄膜形成步驟之前，還包括用于檢測按照設計圖樣需要加固之孔徑，即要被填以所述薄膜之孔徑的步驟。

12．一種如權利要求10所述的電子束掩膜制造方法，其特征在于，所述方法在所述薄膜形成步驟之前，還包括用于檢測按照設計圖樣需要加固之孔徑，即要被填以所述薄膜之孔徑的步驟。

13．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求1限定的結構。

14．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求2限定的結構。

15．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求3限定的結構。

16．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求4限定的結構。

17．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求5限定的結構。

18．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求6限定的結構。

19．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求7限定的結構。

20．一種使用電子束及電子束掩膜的間歇式投影曝光方法，其特征在于，所述電子束掩膜具有權利要求8限定的結構。