[發明專利]磁電阻元件和磁存儲裝置

無效

• 申請號: 00135319.5
• 申請日: 2000-09-15
• 公開（公告）號: CN1308317A
• 公開（公告）日: 2001-08-15
• 發明（設計）人: 豬俁浩一郎;中島健太郎;齊藤好昭;砂井正之;岸達也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39;G11C11/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種磁電阻元件，其特征在于：

具有由第一反鐵磁層/第一鐵磁層/第一介電層/第二鐵磁層/第二介電層/第三鐵磁層/第二反鐵磁層疊層的鐵磁性雙隧道結；

上述第二鐵磁層由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜構成；

在上述第一至第三鐵磁層中流過隧道電流。

2.如權利要求1所述的磁電阻元件，其特征在于：

上述的Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜的膜厚是1-5nm。????

3.一種磁存儲裝置，其特征在于：

包含配置成陣列狀的如權利要求1所述的磁電阻元件、和晶體管或二極管的存儲單元。????

4.如權利要求3所述的磁存儲裝置，其特征在于：

上述磁電阻元件中的至少最上面的反鐵磁層構成數據線的一部分。

5.一種磁電阻元件，其特征在于：

具有由第一鐵磁層/第一介電層/第二鐵磁層/第一反鐵磁層/第三鐵磁層/第二介電層/第四鐵磁層疊層的鐵磁性雙隧道結；

上述第一和第四鐵磁層由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜構成；

上述第一至第四鐵磁層中流過隧道電流。

6.如權利要求5所述的磁電阻元件，其特征在于：

上述Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜的膜厚是1-5nm。

7.一種磁存儲器，其特征在于：

包含配置成陣列狀的如權利要求5所述的磁電阻元件、和晶體管或二極管的存儲單元。

8.一種磁電阻元件，其特征在于：

具有由第一反鐵磁層/第一鐵磁層/第一介電層/第二鐵磁層/第二反鐵磁層/第三鐵磁層/第二介電層/第四鐵磁層/第三反鐵磁層疊層的鐵磁性雙隧道結；

上述第一和第四鐵磁層或上述第二和第三鐵磁層由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜構成；

在上述第一至第四鐵磁層中流過隧道電流。

9.如權利要求5所述的磁電阻元件，其特征在于：

上述Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜的膜厚是1-5nm。????

10.一種磁存儲裝置，其特征在于：

包含配置成陣列狀的如權利要求8所述的磁電阻元件、和晶體管或二極管的存儲單元。????

11.如權利要求10所述的磁存儲裝置，其特征在于：

上述磁電阻元件中的至少最上面的反鐵磁層構成數據線的一部分。

12.一種磁電阻元件，其特征在于：????

具有由第一鐵磁層/第一介電層/第二鐵磁層/第一非磁性層/第三鐵磁層/第二非磁性層/第四鐵磁層/第二介電層/第五鐵磁層疊層的鐵磁性雙隧道結；

互相鄰接的第二、第三和第四鐵磁層通過非磁性層反鐵磁性耦合，上述第一和第五鐵磁層由Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜構成；

在上述第一至第五鐵磁層中流過隧道電流。

13.如權利要求12所述的磁電阻元件，其特征在于：

上述Co基合金或Co基合金/Ni-Fe合金/Co基合金三層膜的膜厚是1-5nm。

14.一種磁存儲器，其特征在于：

包含配置成陣列狀的如權利要求12所述的磁電阻元件、晶體管或二極管的存儲單元。

15.一種磁電阻元件，其特征在于：

具有磁化方向鎖定的第一磁化鎖定層、第一介電層、磁化方向可反轉的磁記錄層、第二介電層和磁化方向鎖定的第二磁化鎖定層；

上述磁記錄層包含磁性層、非磁性層和磁性層三層膜，構成該三層膜的兩個磁性層反鐵磁性耦合；

連接上述兩個磁化鎖定層的介電層的區域的磁化方向基本是反平行的。

16.一種寫入磁存儲裝置的方法，其特征在于：

在通過構成如權利要求15所述的磁存儲裝置的上述第一或第二磁化鎖定層向上述磁記錄層供給自旋電流的同時，使電流流過寫入用的配線，從而將電流磁場加在上述磁記錄層上。