[發(fā)明專利]具有非矩形基板的半導體光電器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00134487.0 | 申請日： | 2000-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN1357928A | 公開（公告）日： | 2002-07-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 綦振瀛;蔡長達;林明德 | 申請（專利權(quán)）人： | 光磊科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01S5/00;H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 矩形 半導體 光電 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體光電器件，包括：
一基板，具有一主表面與環(huán)繞該主表面的多個側(cè)壁，該主表面是一多邊形表面，其所有內(nèi)角都選自由60度與120度所組成的群族中的一角度，并且該多個側(cè)壁表面中的每一個位于相同的晶面族；以及
一層狀半導體結(jié)構(gòu)，形成于該基板的該主表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體光電器件，其中該基板由選自于由藍寶石與碳化硅所組成的族群中的一材料所形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體光電器件，其中該主表面位于{0001}晶面，并且該多個側(cè)壁表面中的每一個位于{1010}晶面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體光電器件，其中該基板是由氮化鎵形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體光電器件，其中該主表面位于{111}面，并且該多個側(cè)壁表面中的每一個位于{110}面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體光電器件，其中該主表面的形狀是平行四邊形或三角形。
7.一種半導體光電器件的制造方法，包括下列步驟：
準備一具有一主表面的晶片；
在該主表面上形成一層狀半導體結(jié)構(gòu)；以及
沿著相同的晶面族切割該晶片，成為至少一多邊形基板，使得該至少一多邊形基板中的每一個的內(nèi)角都選自由60度與120度所組成的族群中的一角度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體光電器件的制造方法，其中該準備一晶片的步驟是準備一由選自于藍寶石與碳化硅所組成的族群中的一材料所形成的晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體光電器件的制造方法，其中該主表面位于{0001}面，并且該晶面族位于{1010}平面族。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體光電器件的制造方法，其中該準備一晶片的步驟是準備一由磷化鎵所形成的晶片。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體光電器件的制造方法，其中該主表面位于{111}面，并且該晶面族位于{110}晶面族。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體光電器件的制造方法，其中該至少一多邊形基板中的每一個的形狀是平行四邊形或三角形。
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