[發明專利]交流電源任意時間超快速半導體開關裝置無效
| 申請號: | 00134136.7 | 申請日: | 2000-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN1357972A | 公開(公告)日: | 2002-07-10 |
| 發明(設計)人: | 戴政耀 | 申請(專利權)人: | 戴政耀 |
| 主分類號: | H03K17/56 | 分類號: | H03K17/56;H03K17/60;H03K17/62;H03K17/64;H03K17/687;H03K17/693;H03K17/695 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 交流 電源 任意 時間 快速 半導體 開關 裝置 | ||
1.一種交流電源任意時間超快速半導體開關裝置,該裝置在單相或三相負載的各相交流電源上串接可控式第一、第二半導體組件,這些第二半導體組件的另一端共同連接導通,在各相第一、第二半導體組件之間以接線輸出交流電源至相對負載,并且這些第一、第二半導體組件各并聯一反向的二極管,而各相第一半導體組件與對應相第二半導體組件是為相反的開關動作,藉關斷該相第一半導體組件以切斷交流電源,則負載上的電流經由對應相第二半導體及該相第二半導體組件所并聯的二極管,而構成一續流回路。
2.如權利要求1所述的交流電源任意時間超快速半導體開關裝置,其中,這些第一、第二半導體組件為功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
3.如權利要求1所述的交流電源任意時間超快速半導體開關裝置,其中,這些第一、第二半導體組件的柵極是輸入脈沖寬度調整(PWM)控制信號,以等份切割交流電源的正弦波,配合脈沖寬度調整(PWM)時間控制,而調整輸出電壓。
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