[發(fā)明專利]器件檢查裝置及檢查方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00133651.7 | 申請日： | 2000-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN1305225A | 公開（公告）日： | 2001-07-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山田惠三;辻出徹;板垣洋輔;牛木健雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 器件 檢查 裝置 方法 | ||
1．一種器件檢查裝置，其特征在于包括：依次照射電子束使試料上的多個測量位置成為同一形狀的部件、測量對各個測量位置照射電子束時在所述試料上產(chǎn)生的電流的部件和把測量的電流或從該電流導出的物理量作為測量位置的函數(shù)表示在二維平面上的表示部件。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述測量部件測量對各個測量位置照射電子束時在試料上產(chǎn)生的總電流量。
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述試料是設(shè)有一個或多個接觸孔或者抗蝕膜的開口部的半導體基板，所述照射部件可以沿著橫貫該半導體基板的任意一軸，向預先規(guī)定的間隔的位置上照射電子束。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述預先規(guī)定的間隔是一定周期的間隔。
5．根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述照射部件向作為分檔器曝光的一次曝光范圍的發(fā)射區(qū)域的被規(guī)定的間隔位置照射電子束。
6．根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述照射部件沿著橫貫決定一個器件的區(qū)域的劃線區(qū)域的任意一軸，向預先規(guī)定的間隔的位置上照射電子束。
7．根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包含按照給每一個器件所定的判斷是否合格的計算方法來評價在各測量位置上的電流量，并對應模仿基板形狀的二維平面上的不合格或合格品的位置來表示特定符號的部件。
8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件按照給每一個器件所定的不合格類型，表示對應該種類型的特定符號的部件。
9．根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包含按照給每一個器件所定的孔徑測量計算方法來評價在各測量位置上的電流量，并對應模仿基板形狀的二維平面上的測量位置來表示孔徑值或其近似值的部件。
10．根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括表示代表孔徑值范圍的符號的部件。
11．根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括用等高線表示孔徑值的部件。
12．根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括表示代表孔徑值范圍的顏色的部件。
13．根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括計算測量的電流量的空間頻率，并在二維平面上表示對應空間頻率的測量電流的大小的部件。
14．根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括把每個基板的孔徑的比例作為孔徑的函數(shù)來表示的部件。
15．根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述照射部件由分檔器曝光裝置的電子束照射部件構(gòu)成，
所述表示部件包括把分檔器曝光的每個發(fā)射區(qū)域的孔徑的比例作為孔徑的函數(shù)來表示的部件。
16．根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括把基板上的每個芯片的孔徑的比例作為孔徑的函數(shù)來表示的部件。
17．根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括：表示包括每個基板上的孔徑的最大值、最小值、平均值、標準偏差、以及離開標準值的偏差等的統(tǒng)計量的部件。
18．根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述試料是在表面上設(shè)有光敏抗蝕膜并形成了孔的導電性材料基板，包括：對于在該光敏抗蝕膜曝光時要被一次曝光的范圍內(nèi)的各芯片，能從其曝光時使用的護罩的設(shè)計信息中抽出與設(shè)計值為同樣大小的孔來指定檢查對象孔的部件。
19．根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述試料是設(shè)有深度不同的孔的元件，包括：按照設(shè)計數(shù)據(jù)將這些孔分組，控制所述照射部件使之按所分各組來照射電子束的部件。
20．根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件檢查裝置，其特征在于：所述表示部件包括：同時表示對應各孔深度的設(shè)計圖面和顯示表面的二維電子像的部件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
