[發明專利]半導體芯片焊料凸點加工方法

無效

• 申請號: 00133603.7
• 申請日: 2000-11-28
• 公開（公告）號: CN1355555A
• 公開（公告）日: 2002-06-26
• 發明（設計）人: 王文泉
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子中心
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 湯保平

1、一種半導體芯片焊料凸點加工方法，其特征在于，

包括如下步驟：

步驟1：球下金屬化層；

步驟2：介質膜的淀積與刻蝕；

步驟3：電鍍工藝：a、電鍍銅微型凸點或稱厚銅：采用光亮硫酸鹽鍍液配方，鍍銅厚度5-10μm；b、電鍍鉛錫合金凸點：采用光亮鉛錫合金電鍍配方以及材料，二元系鉛錫合金一次電鍍完成；

步驟4：回流工藝：采用回流峰值溫度高于焊料熔點10-50℃，并采用中性助焊劑。

2、根據權利要求1所述的半導體芯片焊料凸點加工方法，其特征在于，其中步驟1的球下金屬化層，鈦為粘附層，鎢為隔離層，金為電鍍基礎層；鈦厚度1000-2000、鈦鎢總厚度3000～5000、金厚度800-1000，采用濺射工藝。

3、根據權利要求1所述的半導體芯片焊料凸點加工方法，其特征在于，其中步驟1的球下金屬化層，采用球下鋁焊盤上濺射鈦：鎢—金形成球下金屬化層。

4、根據權利要求1所述的半導體芯片焊料凸點加工方法，其特征在于，其中步驟3中b電鍍鉛錫合金工藝，措施為：

A互連線設計：在金屬化層厚度一定的前提下，加寬互連線寬度，以便降低電阻提高電流密度均勻性；主線為50-60μm，支線為15-30μm；

B掛具的設計：掛具的設計要增加芯片表面電流輸入端子；除在芯片四周設置輸入端子外，芯片中心點同時設置此端子；從而提高凸點高度的一致性；

C球下金屬化層圖形化后鍍銅：由于芯片尺寸的增加，球下金屬化層圖形化后，再鍍銅3-5μm。