[發明專利]電子束曝光方法以及所使用的掩膜和電子束曝光系統無效
| 申請號: | 00132743.7 | 申請日: | 2000-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN1297251A | 公開(公告)日: | 2001-05-30 |
| 發明(設計)人: | 山下浩;小日向秀夫 | 申請(專利權)人: | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 朱海波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子束 曝光 方法 以及 使用 系統 | ||
1.一種分段掩膜圖案轉印型電子束曝光方法,其中預定圖案被分為多個分區,以在每個所述分區形成分段圖案,并且依次地對每個所述分區進行曝光,從而完成整個所述指定圖案的投影;其中包括如下步驟:
對每個所述分區執行曝光,并且依次地在其上面轉印分段圖案,以及
用各個所述分段圖案的反轉圖案的散焦電子束依次地對所述分段圖案的每個投影區域執行糾正曝光,從而糾正由于圖案曝光所造成的鄰近效應。
2.根據權利要求1所述的分段掩膜圖案轉印型電子束曝光方法;其特征在于包括如下步驟:
利用在一個相同基片上具有通過把預定圖案分為多個分區所形成的一組分段圖案的掩膜,對每個所述分區執行曝光,并且依次地在其上面轉印分段圖案,以形成在每個所述分區的分段圖案,并且具有這些分段圖案的一組反轉圖案;以及
用各個所述分段圖案的反轉圖案的散焦電子束,依次地對所述分段圖案的投影區域進行糾正曝光,從而糾正由圖案曝光所造成的鄰近效應。
3.根據權利要求1所述的分段掩膜圖案轉印型電子束曝光方法;其特征在于包括如下步驟:
利用具有通過把指定圖案分為多個分區所形成的一組分段圖案的第一掩膜,對每個所述分區執行曝光,并且依次地在其上面轉印分段圖案,以在每個所述分區中形成分段圖案;以及
利用具有所述分段圖案的一組反轉圖案的第二掩膜,用各個所述分段圖案的反轉圖案的散焦電子束,依次地對所述分段圖案的投影區域執行糾正曝光,從而糾正由于圖案曝光所造成的鄰近效應。
4.根據權利要求3所述的分段掩膜圖案轉印型電子束曝光方法,其特征在于透射掩膜被用作為第一掩膜,散射掩膜被用作為第二掩膜。
5.一種用于權利要求2中所述的電子束曝光的方法中的電子束曝光掩膜,其特征在于在一個相同基片上具有一組分段圖案,該圖案是通過把指定圖案分為多個分區而形成的,以在每個所述分區中形成一個分段圖案,并且具有一組這些分段圖案的反轉圖案。
6.一種電子束曝光系統,其中具有:
一種結構,通過依次地在每個分區中通過分段圖案執行曝光,如權利要求5所述放置的掩膜可以轉印所述指定圖案,并且可以依次地通過在每個分區中的反轉圖案執行曝光,而用反轉圖案的電子束對分段圖案的每個投影區域進行曝光;以及
一種結構,其可以在每次該反轉圖案的電子束用于曝光時,散焦該反轉圖案的電子束。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





