[發明專利]均勻熱場陣列生長金剛石膜管的方法無效
| 申請號： | 00132598.1 | 申請日： | 2000-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN1355331A | 公開（公告）日： | 2002-06-26 |
| 發明（設計）人： | 申家鏡;邵春雷;魏雪峰 | 申請（專利權）人： | 黑龍江省光電技術研究所 |
| 主分類號： | C23C16/27 | 分類號： | C23C16/27;C30B25/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 157000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 均勻 陣列 生長 金剛石 方法 | ||
【權利要求書】：
均勻熱場陣列生長金剛石膜管的方法，其特征是它是在充有含碳氣體化合物等氣體的容器內，通過電熱絲架使電熱絲呈弧口相對的圓弧形豎立排列，且使多根膜管生長絲通過絲架豎直排列在弧口相對的兩電熱絲列之間。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
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C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
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