[發(fā)明專利]彩色圖像形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00132413.6 | 申請日: | 2000-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN1306227A | 公開(公告)日: | 2001-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田口哲也;飯塚章洋;吉原宏太郎;吉野進(jìn);石田晴英;片岡理惠子 | 申請(專利權(quán))人: | 富士施樂株式會社 |
| 主分類號: | G03G13/08 | 分類號: | G03G13/08 |
| 代理公司: | 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所 | 代理人: | 劉激揚(yáng) |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 彩色 圖像 形成 方法 | ||
1.彩色圖像形成方法,其特征是具有在潛像保持體上形成潛像工序、通過與潛像保持體相對配置的顯像劑載持體上二成份的顯像劑,顯像出潛像保持體上潛像的顯像工序,將潛像保持體上的調(diào)色劑圖像復(fù)制在復(fù)制體上的工序,其中該顯像劑載持體的直徑是20mm以下的圓筒狀,該二成份顯像劑是由載體和調(diào)色劑構(gòu)成,顯像劑電阻,在2v/μm的電場下時是1013Ω以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中上述的顯像劑載持體的直徑是10mm~20mm以下的圓筒狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中上述顯像劑載持體內(nèi)部包含磁場發(fā)生裝置,該磁力是0.1T(1000高斯)以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中二成份的顯像劑的上述顯像劑電阻,在2v/μm的電場下時是1013Ω~1015。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中二成份的顯像劑中載體的調(diào)色劑的范圍13~70%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中上述調(diào)色劑含有粘結(jié)樹脂和臘和著色劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的彩色圖像形成方法,其中上述的臘在120℃下具有3×10-4m2/s(300cst)以下的熔融流動粘度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中上述載體平均粒徑是25~45μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中上述載體的載體電阻,在1v/μm的電場下時是1015Ω以上,在2v/μm的電場下時是1012Ω以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中的上述復(fù)制工序具有復(fù)制在中間復(fù)制體上的第1復(fù)制工序和從中間復(fù)制體復(fù)制到圖像保持體上的第2復(fù)制工序,上述中間復(fù)制體的表面體積電阻值是108~1016Ωcm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色圖像形成方法,其中上述的潛像保持體的直徑是40mm以下以下的圓筒狀。
12.彩色圖像形成方法,其特征是具有在潛像保持體上形成潛像工序、通過與潛像保持體相對配置的顯像劑載持體上二成份的顯像劑,顯像出潛像保持體上潛像的顯像工序,將潛像保持體上的調(diào)色劑圖像復(fù)制在復(fù)制體上的工序,其中該潛像保持體的直徑是40mm以下的圓筒狀,該二成份顯像劑是由載體和調(diào)色劑構(gòu)成,顯像劑電阻,在2v/μm的電場下時是1013Ω以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中上述的潛像保持體的直徑是18~40mm的圓筒狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中上述的顯像劑載持體的直徑是10mm~35mm以下的圓筒狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中二成份的顯像劑的其顯像劑電阻,在2v/μm的電場下時是1013Ω~1016Ω。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中二成份的顯像劑中載體的調(diào)色劑的范圍13~70%。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中上述調(diào)色劑含有粘結(jié)樹脂和臘和著色劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中上述調(diào)色劑內(nèi)部進(jìn)而含有無機(jī)粒子。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的彩色圖像形成方法,其中上述的臘在120℃下具有3×10-4m2/s(300cst)以下的熔融流動粘度。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的彩色圖像形成方法,其中上述載體的載體電阻,在1v/μm的電場下時是1015以上,在2v/μm的電場下時是1012Ω以下。
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