[發明專利]金屬導線的制造方法

無效

• 申請號: 00130455.0
• 申請日: 2000-10-11
• 公開（公告）號: CN1347148A
• 公開（公告）日: 2002-05-01
• 發明（設計）人: 顏俊耀;李惠民
• 申請（專利權）人: 茂德科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種金屬導線的制造方法，包括下列步驟：

(a)提供一半導體基底，該半導體基底形成有一導電區域；

(b)全面性形成一絕緣層，以覆蓋上述半導體基底；

(c)在上述絕緣層表面形成一犧牲層；

(d)選擇性蝕刻上述犧牲層以及上述絕緣層，以形成一露出上述導電區域的鑲嵌結構；????

(e)全面性形成一金屬層，該金屬層填入上述鑲嵌結構；以及

(f)化學機械研磨上述金屬層，以去除上述犧牲層表面的金屬層，而留下一當作金屬導線的金屬結構。

2.如權利要求1所述的金屬導線的制造方法，其中上述絕緣層利用化學氣相沉積法，并以四乙氧基硅烷為主反應氣體以形成的二氧化硅層。

3.如權利要求2所述的金屬導線的制造方法，其中上述犧牲層利用化學氣相沉積法所形成的氮化硅層。

4.如權利要求1所述的金屬導線的制造方法，其中上述金屬層利用化學氣相沉積法所形成的鎢金屬層。

5.如權利要求4所述的金屬導線的制造方法，其中步驟(e)以前還包括在上述鑲嵌結構表面形成一襯墊層的步驟。

6.如權利要求1所述的金屬導線的制造方法，其中上述襯墊層為鈦層。

7.如權利要求1所述的金屬導線的制造方法，其中上述襯墊層為鈦層/氮化鈦層。

8.如權利要求1所述的金屬導線的制造方法，其中上述導電區域為金屬導線。

9.如權利要求1所述的金屬導線的制造方法，其中在步驟(f)之后，還包括一去除犧牲層的步驟。

10.如權利要求9所述的金屬導線的制造方法，其中利用含有磷酸的緩沖溶液以去除犧牲層。

11.一種金屬導線的制造方法，包括下列步驟：

(a)提供一半導體基底，該半導體基底形成有一導電區域；

(b)全面性形成一氧化絕緣層，以覆蓋上述半導體基底；

(c)在上述氧化絕緣層表面形成一氮化硅犧牲層；

(d)選擇性蝕刻上述氮化硅犧牲層以及上述氧化絕緣層，以形成一露出上述導電區域的鑲嵌結構；

(e)在上述鑲嵌結構的上表面以及側壁形成一鈦/氮化鈦襯墊層；

(f)全面性形成一鎢金屬層，該鎢金屬層填入上述鑲嵌結構；

(g)化學機械研磨上述鎢金屬層，以去除上述氮化硅犧牲層表面的鎢金屬層，而留下一當作金屬導線的鎢金屬結構；以及

(h)去除上述氮化硅犧牲層。

12.如權利要求11所述的金屬導線的制造方法，其中上述導電區域是金屬導線。

13.如權利要求11所述的金屬導線的制造方法，其中利用含有磷酸的緩沖溶液來去除犧牲層。