[發(fā)明專利]具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00130304.X | 申請日： | 2000-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN1351370A | 公開（公告）日： | 2002-05-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 曾鴻輝 | 申請（專利權）人： | 世界先進積體電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 劉朝華 |
| 地址： | 臺灣省新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 嵌入式 柵極 金屬 氧化物 半導體 場效應 晶體管 形成 方法 | ||
1、一種具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：它包括如下步驟：
a、在一半導體基板上形成隔離區(qū)域；
b、在所述半導體基板上形成源極/汲極區(qū)域；
c、在所述半導體基板上陸續(xù)形成第一介電層和第二介電層；
d、利用非等向性蝕刻技術在所述半導體基板上形成一溝渠；
e、利用熱氧化技術形成一層氧化硅層；
f、利用非等向性蝕刻技術在所述溝渠的側(cè)壁上形成第一間隙壁；
g、在所述溝渠的底壁上形成一層柵極介電層；
h、形成所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極電極、汲極電極和嵌入式柵極的電極。
2、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述第一介電層和第二介電層具有蝕刻選擇性。
3、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述第二介電層的厚度介于1000埃至2000埃之間。
4、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述第二介電層是氮化硅層。
5、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述第二介電層是氮氧化硅層。
6、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述渠溝的寬度小于0.1微米。
7、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述柵極介電層的厚度小于20埃。
8、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：該步驟h形成所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極電極、汲極電極和嵌入式柵極的電極的方法包含有：
A、形成一導電層以填滿所述渠溝；
B、將所述導電層中位于所述渠溝外的部分去除，以形成柵極插塞；
C、將所述第二介電層去除；
D、在所述柵極插塞的側(cè)壁上形成第二間隙壁；
E、形成所述源極/汲極區(qū)域及所述柵極插塞的金屬接觸點。
9、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述導電層中位于所述渠溝外的部分是以化學機械研磨法去除。
10、如權利要求1所述的具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法，其特征在于：所述形成第二間隙壁的方法是先沉積一層介電層，再利用非等向性蝕刻技術進行回蝕刻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
