[發明專利]有機電致發光器件和器件組,在器件中發射光譜的控制方法有效
| 申請號: | 00129093.2 | 申請日: | 2000-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN1290119A | 公開(公告)日: | 2001-04-04 |
| 發明(設計)人: | 城戶淳二;遠藤潤;橫井啟;森浩一 | 申請(專利權)人: | 城戶淳二;愛美思公司 |
| 主分類號: | H05B33/00 | 分類號: | H05B33/00;H05B33/14;H05B33/22 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 陳季壯 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 發射光譜 控制 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,包括:
至少一層位于陰極和與該陰極相對的陽極之間的由有機化合物構成的發光層;和
摻雜有能夠用作給電子摻雜劑的金屬的有機化合物層,該有機化合物層作為金屬摻雜層位于與所述陰極的界面表面上;其中
由該有機電致發光器件發出的發光光譜可通過改變金屬摻雜層的層厚而控制。
2.根據權利要求1的有機電致發光器件,其中所述金屬摻雜層包含至少一種選自堿金屬、堿土金屬和過渡金屬包括稀土金屬在內的金屬,該金屬的功函不超過4.2eV。
3.根據權利要求1或2的有機電致發光器件,其中所述金屬以與有機化合物0.1-10的摩爾比包含在所述金屬摻雜層中。
4.根據權利要求1-3中任何一項的有機電致發光器件,其中所述金屬摻雜層的層厚不低于500埃。
5.根據權利要求1-4中任何一項的有機電致發光器件,其中所述金屬摻雜層中的有機化合物可用作所述金屬摻雜層中所述金屬的離子的配體。
6.根據權利要求1-5中任何一項的有機電致發光器件,其中所述金屬摻雜層包括具有不同層厚的分割區。
7.根據權利要求6的有機電致發光器件,其中所述分割區分別包括一組以矩陣形式排列的圖像元素。
8.根據權利要求6或7的有機電致發光器件,其中所述分割區分別具有受控的層厚以在每個分割區中得到特定的發射光譜。
9.一組有機電致發光器件,每個有機電致發光器件都包括:
至少一層位于陰極和與該陰極相對的陽極之間的由有機化合物構成的發光層;和
摻雜有能夠用作給電子摻雜劑的金屬的有機化合物層,該有機化合物層作為金屬摻雜層位于與陰極的界面表面上;其中
通過控制每個有機電致發光器件中的所述金屬摻雜層的層厚,使得由每個有機電致發光器件發出的光具有不同的發射光譜。
10.根據權利要求9的有機電致發光器件組,其中所述金屬摻雜層包括至少一種選自堿金屬、堿土金屬和過渡金屬包括稀土金屬在內的金屬,該金屬的功函不超過4.2eV。
11.根據權利要求9或10的有機電致發光器件組,其中所述金屬摻雜層包含與所述有機化合物0.1-10摩爾比的所述金屬。
12.根據權利要求9-11中任何一項的有機電致發光器件組,其中所述金屬摻雜層的層厚不低于500埃。
13.根據權利要求9-12中任何一項的有機電致發光器件組,其中所述金屬摻雜層中的有機化合物可用作所述金屬摻雜層中所述金屬的離子的配體。
14.一種控制由有機電致發光器件發出的發光光譜的方法,所述有機電致發光器件包括至少一層位于陰極和與該陰極相對的陽極之間的由有機化合物構成的發光層、以及摻雜有能夠用作給電子摻雜劑的金屬的有機化合物層,該有機化合物層作為金屬摻雜層位于在發光層側與所述陰極的界面表面上,該方法包括:
改變金屬摻雜層的層厚來控制由每個有機電致發光器件發出的發光光譜。
15.根據權利要求14的控制方法,其中通過改變所述金屬摻雜層的層厚來控制兩個或多個有機電致發光器件中的發光光譜,同時這些有機電致發光器件在相同的驅動電壓下運行而與每個有機電致發光器件中的金屬摻雜層的層厚無關。
16.一種有機電致發光器件,包括:
至少一層位于陰極和與該陰極相對的陽極之間的由有機化合物構成的發光層;和
摻雜了具有Lewis酸性能的電子接收化合物的有機化合物層,該有機化合物層作為化學摻雜層位于在發光層側與所述陽極的界面表面上;其中
所述有機電致發光器件的發光光譜通過改變化學摻雜層的層厚來控制。
17.根據權利要求16的有機電致發光器件,其中所述化學摻雜層是一層在摻雜時,通過在真空中共沉積所述電子接收化合物而形成的有機化合物。
18.根據權利要求16的有機電致發光器件,其中所述化學摻雜層是一層在涂布一種涂料溶液時形成的有機化合物,該涂料溶液通過將構成所述有機化合物層的有機化合物與所述電子接收化合物在溶液中進行反應而制成。
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