[發明專利]磁盤記錄系統和雙磁電阻讀傳感器

無效

• 申請號: 00129074.6
• 申請日: 1996-08-20
• 公開（公告）號: CN1310440A
• 公開（公告）日: 2001-08-29
• 發明（設計）人: 哈德亞爾·S·基爾;布魯斯·A·格內
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 酆迅

1．一種磁盤記錄系統，包括：

具有多條用于記錄數據的磁道的磁存儲介質；

一個磁傳感器，在所述磁傳感器和所述磁存儲介質之間的相對運動期間，所述磁傳感器相對于所述磁存儲介質保持很小間距位置，所述磁傳感器包含一個磁電阻讀傳感器，該磁電阻讀傳感器包括：

第一自旋閥結構，包括：

????第一鐵磁自由層；

????第一鐵磁釘扎層，所述第一鐵磁釘扎層包括第一層和第二層鐵

???????磁材料，它們經一個反鐵磁耦合層相互隔開，其中第一鐵磁

???????釘扎層是磁電阻讀傳感器中僅有的具有反鐵磁耦合層的釘扎

????????層；

????第一非磁性導電間隔層，設置在第一鐵磁自由層與第一鐵磁釘

????????扎層之間；以及

????第一層反鐵磁材料，與所述第一鐵磁釘扎層中的第二層鐵磁材

????????料直接接觸，用于固定所述第一鐵磁釘扎層的磁化方向；

第二自旋閥結構，包括：

??第二鐵磁自由層；

??第二鐵磁釘扎層；

??第二非磁性導電間隔層，設置在所述第二鐵磁自由層與所述第

????二鐵磁釘扎層之間；

??第二層反鐵磁材料，與所述第二鐵磁釘扎層直接接觸，用于固

????定所述第二鐵磁釘扎層的磁化方向；

一個非磁性絕緣間隔層，設置在第一自旋閥結構與第二自旋閥結構之間；

第一和第二電流源，用于產生經過所述磁電阻讀傳感器的電流；并且

所述磁電阻讀傳感器的電阻率響應于外部磁場發生變化，該外部磁場是由于第一自旋閥結構和第二自旋閥結構每一個中的鐵磁材料的自由層中的磁化轉動造成的；

與所述磁傳感器連接的致動器裝置，用于將所述磁傳感器移動到磁存儲介質上所選擇的磁道；以及

與所述磁電阻讀傳感器連接的記錄通道，用于檢測磁電阻讀傳感器中響應于磁電阻讀傳感器偵聽到磁場而產生的電阻變化，這里的磁場代表記錄在所述磁存儲介質上的數據位。

2．根據權利要求1的磁盤記錄系統，其中所述非磁性絕緣間隔層包括Al₂O₃。

3．根據權利要求1的磁盤記錄系統，其中所述非磁性絕緣間隔層包括SiO₂。

4．根據權利要求1的磁盤記錄系統，其中第一自旋閥結構和第二自旋閥結構中的每一個還包括電導體引線，它們形成在第一自旋閥結構和第二自旋閥結構的相對的端部，用于將第一自旋閥結構和第二自旋閥結構中的每一個連接到第一電流源和第二電流源中相應的一個。

5．根據權利要求4的磁盤記錄系統，其中第一電流源和第二電流源分別連接到第一自旋閥結構和第二自旋閥結構，第一自旋閥結構和第二自旋閥結構中的每一個連接到差分放大電路的不同輸入端。

6．根據權利要求1的磁盤記錄系統，其中第一鐵磁釘扎層的第一層和第二層鐵磁材料包括鈷。

7．根據權利要求1的磁盤記錄系統，其中第一自旋閥結構中的反鐵磁耦合層包括釕。

8．根據權利要求1的磁盤記錄系統，其中第一自旋閥結構中的反鐵磁耦合層是從釕、鉻、銠和依組成的一組材料中選擇的。