[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 00129021.5
• 申請日: 2000-09-25
• 公開（公告）號: CN1307364A
• 公開（公告）日: 2001-08-08
• 發明（設計）人: 藤本謙昌;原田繁;山下貴司
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1．一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底，具有主表面；

層間絕緣膜，被配置在上述襯底的上述主表面上；

至少2層基底層，分別被配置在上述層間絕緣膜內，在上述層間絕緣膜的厚度方向上重疊，彼此間不相接；以及

標記用的孔，在上述絕緣膜內從上述層間絕緣膜的與上述襯底相反一側的表面到上述層間絕緣膜的最靠近上述表面的上述基底層被形成。

2．一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底，具有主表面；

層間絕緣膜，被配置在上述襯底的上述主表面上；以及

包含多個孔的標記用的孔，從上述襯底的上述主表面的上方觀察時的該多個孔的各自的尺寸大致不到1微米，在上述層間絕緣膜的表面上分別具有開口部，在上述層間絕緣膜內被形成。

3．如權利要求2中所述的半導體裝置，其特征在于：

還具備被配置在上述多個孔的至少1個孔內的金屬層。

4．如權利要求2中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述多個孔包含溝狀的孔和柱狀的孔的至少一種。

5．一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底，具有主表面；

層間絕緣膜，被配置在上述襯底的上述主表面上；

標記用的孔，在上述層間絕緣膜的與上述襯底相反一側的表面上具有開口部，在上述層間絕緣膜內被形成；以及

金屬層，被充填在上述標記用的孔內直到上述標記用的孔的上述開口部附近為止。

6．一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底，具有主表面；??

層間絕緣膜，被配置在上述襯底的上述主表面上；

標記用的孔，在上述層間絕緣膜的與上述襯底相反一側的表面上具有開口部，在上述層間絕緣膜內被形成；以及

金屬層，被配置在上述標記用的孔內，上述標記用的孔的上述開口部附近的部分形成了使上述開口部變窄的突出的帽沿狀。

7．一種半導體裝置，其特征在于，具備：

襯底，具有主表面；

第1層間絕緣膜，被配置在上述襯底的上述主表面上；

標記用的孔，在上述第1層間絕緣膜的與上述襯底相反一側的表面上具有開口部，在上述第1層間絕緣膜內被形成；

第2層間絕緣膜，覆蓋上述標記用的孔而被配置，在上述標記用的孔的上方且在與上述襯底相反一側的表面上具有已開口的凹部；以及

電介質層，被配置在上述第2層間絕緣膜的上述凹部內。

8．如權利要求7中所述的半導體裝置，其特征在于：

用上述電介質層充填了上述第2層間絕緣膜的上述凹部，直到上述第2層間絕緣膜的上述表面附近為止。

9．如權利要求7中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電介質層被配置在上述第2層間絕緣膜的上述凹部的至少內表面上。

10．如權利要求7中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述電介質層由與上述第2層間絕緣膜相比難以附著到在CMP法中被使用的漿液上的材料構成。

11．如權利要求1至10中的任一項中所述的半導體裝置，其特征在于：

從上述襯底的上述主表面的上方觀察上述標記用的孔時的上述標記用的孔的尺寸大致為1微米以上。

12．一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備下述工序：

(a)在襯底的主表面上形成第1層間絕緣膜的工序，該第1層間絕緣膜在與上述襯底相反一側的表面上具有已開口的標記用的孔；

(b)形成第2層間絕緣膜以覆蓋上述標記用的孔的工序；

(c)在上述第2層間絕緣膜上形成電介質層的工序；以及

(d)在上述工序(c)后，利用CMP法研磨上述第2層間絕緣膜的工序。

13．如權利要求12中所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

還具備：(e)在上述工序(d)結束后除去殘存的上述電介質層的工序。

14．如權利要求12或13中所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述電介質層由與上述第2層間絕緣膜相比難以附著到在CMP法中被使用的漿液上的材料構成。

15．如權利要求12中所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

從上述襯底的上述主表面的上方觀察上述標記用的孔時的上述標記用的孔的尺寸大致為1微米以上。