[發明專利]半導體裝置、半導體駐極體電容話筒及其制造方法

無效

• 申請號: 00128754.0
• 申請日: 2000-09-15
• 公開（公告）號: CN1289220A
• 公開（公告）日: 2001-03-28
• 發明（設計）人: 大川重明;大古田敏幸;大林義昭;安田護;佐伯真一;大澤周治
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;星電株式會社
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 楊凱,葉愷東

1.一種半導體裝置，具備：集成了電子電路的半導體襯底；在上述半導體襯底的表面上形成了的固定電極層；以及在上述固定電極層的周圍設置的、用來設置與上述固定電極層分離的振動膜的襯墊，其特征在于：

這樣來配置上述襯墊，使之能在上述振動膜的一部分從上述半導體襯底的端部伸出的狀態下進行設置。

2.一種半導體裝置，具備：集成了電子電路的半導體襯底；在上述半導體襯底的表面上形成了的固定電極層；以及在上述固定電極層的周圍設置的、用來設置與上述固定電極層分離的振動膜的襯墊，其特征在于：

這樣來配置上述襯墊，使之不與在上述半導體襯底的周圍被形成的電極焊區重疊，并使之能在上述振動膜的一部分從上述半導體襯底的端部伸出的狀態下進行設置。

3.一種半導體駐極體電容話筒，至少具有：集成了電子電路的半導體襯底；在上述半導體襯底的表面上形成了的固定電極層；在上述固定電極層的周圍設置了的襯墊；以及在上述襯墊上被設置的振動膜，其特征在于：

在上述振動膜的一部分從上述半導體襯底的端部伸出的狀態下進行了設置。

4.一種半導體駐極體電容話筒，至少具有：集成了電子電路的半導體襯底；在上述半導體襯底的表面上形成了的固定電極層；在上述固定電極層的周圍設置了的襯墊；以及在上述襯墊上被設置的振動膜，其特征在于：

通過在上述振動膜的一部分從上述半導體襯底的端部伸出的狀態下進行設置，使在上述半導體襯底的周圍被形成的電極焊區露出。

5.如權利要求1或2中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述振動膜的中心偏離上述半導體襯底的中心而被設置。

6.如權利要求3或4中所述的半導體駐極體電容話筒，其特征在于：

上述振動膜的中心偏離上述半導體襯底的中心而被設置。

7.如權利要求1、2或5中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述固定電極層的中心偏離上述半導體襯底的中心而被形成，上述固定電極層的中心偏離上述振動膜的中心而被形成。

8.如權利要求3、4或6中所述的半導體駐極體電容話筒，其特征在于：

上述固定電極層的中心偏離上述半導體襯底的中心而被形成，上述固定電極層的中心偏離上述振動膜的中心而被形成。

9.如權利要求1、2、5或7中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述襯墊不連續，是分離的。

10.如權利要求3、4、6或8中所述的半導體駐極體電容話筒，其特征在于：

上述襯墊不連續，是分離的。

11.如權利要求1、2、5、7或9中所述的半導體裝置，其特征在于：

上述振動膜的直徑為上述固定電極層的直徑的約1.2倍～約1.5倍。

12.如權利要求3、4、6、8或10中所述的半導體駐極體電容話筒，其特征在于：

上述振動膜的直徑為上述固定電極層的直徑的約1.2倍～約1.5倍。

13.一種半導體駐極體電容話筒的制造方法，其特征在于：

在半導體晶片上形成絕緣膜，在上述絕緣膜上形成多個固定電極層，

在上述固定電極層的周圍形成了由絕緣性樹脂膜構成的襯墊后，對上述半導體晶片進行劃片來制成半導體裝置，

在上述半導體裝置的上述襯墊上設置振動膜。

14.如權利要求13中所述的半導體駐極體電容話筒的制造方法，其特征在于：

上述振動膜的一部分從上述半導體襯底伸出而被設置。

15.一種半導體駐極體電容話筒，將半導體裝置安裝在中空的封裝體內而構成，上述半導體裝置至少具有：在半導體襯底的表面上形成的固定電極層；在上述固定電極層的周圍設置了的多個襯墊；以及在上述襯墊上被設置的振動膜，其特征在于：

上述半導體襯底側面與上述封裝體之間被分離開，該被分離開的空間與上述振動膜下的空間通過上述襯墊與襯墊間是連續的。