[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 00128546.7
• 申請日: 2000-11-17
• 公開（公告）號: CN1297256A
• 公開（公告）日: 2001-05-30
• 發明（設計）人: 牛久幸広
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/06;H01L21/8249;H01L21/84
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．一種半導體裝置，具備：

半導體襯底；

在上述半導體襯底上形成的埋層絕緣膜；

在上述埋層絕緣膜上邊形成，且已分別形成了半導體器件的多個單晶半導體層；

在上述多個單晶半導體層的相互間形成的器件隔離區；

在上述器件隔離區內形成的器件隔離絕緣膜，

其特征是：上述器件隔離絕緣膜彼此之間，從上述半導體襯底算起的其表面高度實質上構成同一平面。

2．權利要求1所述的半導體裝置，其特征是：上述多個單晶半導體層之內，至少一個單晶半導體層的膜厚與其它的單晶半導體層的膜厚不同。

3．權利要求1所述的半導體裝置，其特征是：上述多個單晶半導體層，具有已形成了MOS晶體管的第1單晶半導體層和已形成了雙極晶體管的第2單晶半導體層，上述第1和第2單晶半導體層具有實質上相同的膜厚，而且，從上述MOS晶體管的柵極電極往下的半導體層與上述第2單晶半導體層的膜厚，實質上是相同的膜厚。

4．權利要求2所述的半導體裝置，其特征是：上述多個單晶半導體層，具有已形成了MOS晶體管的第1單晶半導體層和已形成了雙極晶體管的第2單晶半導體層，上述第1和第2單晶半導體層具有實質上相同的膜厚，而且，從上述MOS晶體管的柵極電極往下的半導體層與上述第2單晶半導體層的膜厚，實質上是相同的膜厚。

5．權利要求1所述的半導體裝置，其特征是：在上述多個單晶半導體層內形成完全耗盡(FD,Full?Deplete)器件和部分耗盡(PD,Partially?Deplete)器件。

6．權利要求2所述的半導體裝置，其特征是：在上述多個單晶半導體層內形成完全耗盡器件和部分耗盡器件。

7．權利要求3所述的半導體裝置，其特征是：在上述多個單晶半導體層內形成完全耗盡器件和部分耗盡器件。

8．權利要求4所述的半導體裝置，其特征是：在上述多個單晶半導體層內形成完全耗盡器件和部分耗盡器件。

9．一種半導體裝置，具備：

具有第1區域和第2區域的半導體襯底；

在上述半導體襯底的上述第1區域內形成的埋層絕緣膜；

在上述埋層絕緣膜上邊形成，且已形成了半導體器件的至少一個第1單晶半導體層；

在上述第2區域內在上述半導體襯底上邊接連地形成的至少一個第2單晶半導體層；

對上述各個單晶半導體層間進行隔離的器件隔離區，

其特征是：上述器件隔離區的器件隔離絕緣膜，在全部的區域內從上述半導體襯底算起的表面高度實質上是相同的。

10．權利要求9所述的半導體裝置，其特征是：在上述第1區域內形成的第1單晶半導體層，由具有多個膜厚的多個單晶半導體層構成。

11．權利要求9所述的半導體裝置，其特征是：在上述第1區域內形成CMOS器件，在上述第2區域內形成雙極器件。

12．權利要求10所述的半導體裝置，其特征是：在上述第1區域內形成CMOS器件，在上述第2區域內形成雙極器件。

13．權利要求9所述的半導體裝置，其特征是：在上述第1區域的第1單晶半導體層內形成MOS晶體管，在上述第2區域的第2單晶半導體層內形成雙極晶體管，上述第1和第2單晶半導體層表面從上述半導體襯底表面算起的表面高度實質上是相同的，而且，從上述MOS晶體管的柵極電極往下的半導體層厚度，與上述規定的第2單晶半導體層的膜厚實質上是相同的。

14．權利要求10所述的半導體裝置，其特征是：在上述第1區域的第1單晶半導體層內形成MOS晶體管，在上述第2區域的第2單晶半導體層內形成雙極晶體管，上述第1和第2單晶半導體層表面從上述半導體襯底表面算起的表面高度實質上是相同的，而且，從上述MOS晶體管的柵極電極往下的半導體層厚度，與上述規定的第2單晶半導體層的膜厚實質上是相同的。