[發(fā)明專利]離子發(fā)生裝置及靜電去除設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00128196.8
• 申請日: 2000-10-21
• 公開（公告）號: CN1297269A
• 公開（公告）日: 2001-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阪田總一郎
• 申請（專利權(quán)）人: 高砂熱學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01T19/04
• 分類號: H01T19/04;H01T23/00;B08B6/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 葉愷東

1．一種離子發(fā)生裝置，其包括針狀的放電極與導(dǎo)電性的成對電極，通過對該放電極施加交流高電壓，因電暈放電，使放電極周邊的空氣形成離子，其特征在于：

至少放電極的前端由硅單晶形成，放電極的前端與成對電極之間的最短距離在0.4～4cm的范圍內(nèi)，施加于放電極上的交流高電壓的有效值V小于8kV，并且按照下述方式設(shè)定，該方式為：1.8L(cm)+0.5＜V(kV)＞2.8L(cm)+1.0。

2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于上述交流高電壓的頻率在20Hz～100kHz的范圍內(nèi)。

3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子發(fā)生裝置，其特征在于放電極的前端的曲率半徑在0.1～0.4mm的范圍內(nèi)。

4．一種靜電去除設(shè)備，其特征在于權(quán)利要求1～3中的任何一項所述的離子發(fā)生裝置設(shè)置于流速在0.2～1.0m/s的范圍內(nèi)的清潔空氣流中，并且按照沿橫切上述清潔空氣流的方向，保持二維延伸的方式設(shè)置有多個放電極。

5．一種靜電去除設(shè)備，其特征在于其按照下述方式構(gòu)成，該方式為：將流速大于10m/s的清潔空氣的氣流供向權(quán)利要求1～3中的任何一項所述的離子發(fā)生裝置中的至少前端。