[發(fā)明專利]變形異質(zhì)接面雙極性晶體管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00124312.8 | 申請日： | 2000-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN1296291A | 公開（公告）日： | 2001-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙鵬盛;吳展興;林燕津 | 申請（專利權(quán)）人： | 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 朱黎光,湯保平 |
| 地址： | 臺灣省臺北市建*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 變形 異質(zhì)接面雙 極性 晶體管 | ||
1、一種變形異質(zhì)接面雙極性晶體管，其具有一材料結(jié)構(gòu)，以適用于低成本生產(chǎn)于六寸或更大尺寸的砷化鎵晶圓，其特征在于該材料結(jié)構(gòu)包括有：
一半絕緣的GaAs(砷化鎵)基板；
一未摻雜的變形緩沖層；
一高摻雜的n-型InGaAs(砷化銦鎵)層，以形成作為該變形異質(zhì)接面雙極性晶體管的集極的歐姆接觸；
一低摻雜的n-型InGaAs(砷化銦鎵)或InP(磷化銦)或InAlAs(砷化銦鋁)層，以形成該變形異質(zhì)接面雙極性晶體管的集極；
一高摻雜的p-型InGaAs(砷化銦鎵)層，以形成該變形異質(zhì)接面雙極性晶體管的基極以及作為該基極的歐姆接觸；
一n-型InAlAs(砷化銦鋁)或漸變的AlInGaAs(砷化鋁銦鎵)或InP(磷化銦)層，以形成該變形異質(zhì)接面雙極性晶體管的射極；
一高摻雜的n-型InGaAs(砷化銦鎵)層，以形成作為該變形異質(zhì)接面雙極性晶體管的射極的歐姆接觸。
2、如權(quán)利要求1所述的變形異質(zhì)接面雙極性晶體管，其特征在于：該未摻雜的變形緩沖層是可為未摻雜的AlGaAsSb(砷銻化鋁鎵)或AlInGaAs(砷化鋁銦鎵)或其他形式的變形緩沖層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
