[發明專利]變形異質接面雙極性晶體管無效
| 申請號： | 00124312.8 | 申請日： | 2000-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN1296291A | 公開（公告）日： | 2001-05-23 |
| 發明（設計）人： | 趙鵬盛;吳展興;林燕津 | 申請（專利權）人： | 穩懋半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 朱黎光,湯保平 |
| 地址： | 臺灣省臺北市建*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 變形 異質接面雙 極性 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1、一種變形異質接面雙極性晶體管，其具有一材料結構，以適用于低成本生產于六寸或更大尺寸的砷化鎵晶圓，其特征在于該材料結構包括有：
一半絕緣的GaAs(砷化鎵)基板；
一未摻雜的變形緩沖層；
一高摻雜的n-型InGaAs(砷化銦鎵)層，以形成作為該變形異質接面雙極性晶體管的集極的歐姆接觸；
一低摻雜的n-型InGaAs(砷化銦鎵)或InP(磷化銦)或InAlAs(砷化銦鋁)層，以形成該變形異質接面雙極性晶體管的集極；
一高摻雜的p-型InGaAs(砷化銦鎵)層，以形成該變形異質接面雙極性晶體管的基極以及作為該基極的歐姆接觸；
一n-型InAlAs(砷化銦鋁)或漸變的AlInGaAs(砷化鋁銦鎵)或InP(磷化銦)層，以形成該變形異質接面雙極性晶體管的射極；
一高摻雜的n-型InGaAs(砷化銦鎵)層，以形成作為該變形異質接面雙極性晶體管的射極的歐姆接觸。
2、如權利要求1所述的變形異質接面雙極性晶體管，其特征在于：該未摻雜的變形緩沖層是可為未摻雜的AlGaAsSb(砷銻化鋁鎵)或AlInGaAs(砷化鋁銦鎵)或其他形式的變形緩沖層。
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