[發明專利]薄型半導體裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 00123410.2
• 申請日: 2000-08-15
• 公開（公告）號: CN1338777A
• 公開（公告）日: 2002-03-06
• 發明（設計）人: 白金泉;蔡宗哲
• 申請（專利權）人: 聯測科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/50
• 代理公司: 隆天國際專利商標代理有限公司
• 代理人: 潘培坤,陳紅

1、一種薄型半導體裝置，其特征是包括：

一基板，其具有至少一開孔，并由一基層及數個導電跡線所構成；

一半導體晶片，其具有一作用表面及一相對的非作用表面，該半導體晶片是以其作用表面粘接至該基板的基層上；

數個第一導電元件，用以通經該開孔而電氣連接該半導體晶片與基板的導電跡線；

數個第二導電元件，其設置于各導電跡線的終端上，以供該半導體晶片通過其與外界電氣連接；

一第一膠體，其形成于該基板的基層上以包覆該半導體晶片；以及

一第二膠體，其形成在該基板的導電跡線上以完全覆蓋住該導電跡線、第一導電元件及開口，且該第二膠體與第二導電元件粘結為一體，而使該第二導電元件的底端外露出該第二膠體的底面，并使該第二導電元件的底端與第二膠體的底面位于同一平面。

2、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該第一導電元件為金屬導線。

3、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該第二導電元件為焊球。

4、如權利要求3所述的薄型半導體裝置，其特征是，該焊球的底端呈平面狀，用以與該下膠體的底面共平面。

5、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該第二導電元件為凸塊。

6、如權利要求5所述的薄型半導體裝置，其特征是，該凸塊是以印刷方式接設至該導電跡線的終端上。

7、如權利要求5所述的薄型半導體裝置，其特征是，該凸塊是以電鍍方式接設至該導電跡線的終端上。

8、如權利要求5所述的薄型半導體裝置，其特征是，制成該凸塊的材料是從銅、鋁、銅合金、鋁合金及錫/鉛合金所組成的組群中選擇。

9、如權利要求5所述的薄型半導體裝置，其特征是，該凸塊的底端呈平面狀，用以與該下膠體的底面共平面。

10、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該半導體晶片的非作用表面是外露出該上膠體的頂面。

11、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該半導體晶片的非作用表面被該上膠體所覆蓋。

12、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該基板具有兩平行對置的開孔。

13、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，該基板具有四道成矩形列置的開孔。

14、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，還包括一與該半導體晶片的非作用表面接設的散熱片。

15、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是，還包括一與該基板的基層粘接的散熱片，該散熱片具有一槽孔，以供該半導體晶片穿經該槽孔而粘接至該基板的基層上。

16、如權利要求1所述的薄型半導體裝置，其特征是適用于該基層的材料是從環氧樹脂，聚亞酰胺樹脂，二順丁烯二酰胺三嗪樹脂，FR4樹脂、環氧樹脂玻璃、陶瓷材料及抗熱性紙材所組成的組群中選擇。

17、一種薄型半導體裝置的制備方法，其特征是包括下列步驟：

準備好一基板，該基板由一基層及數個導電跡線構成，并開設有至少一開孔；

粘接一半導體晶片至該基板的基層的預設位置上；

以數個第一導電元件穿經該基板的開孔電氣連接該半導體晶片與基板的導電跡線；

在該基板的基層上形成一第一膠體以包覆該半導體晶片；

在該基板的導電跡線的終端上設置數個成陣列方式排列的第二導電元件；

在該基板的導電跡線上形成一第二膠體以完全包覆該導電跡線、第一導電元件及開孔，并使該第二導電元件與該第二膠體連結為一體，而讓該第二導電元件的底端外露出第二膠體的底面，及使該第二導電元件的底端與該第二膠體的底面位于同一平面。

18、如權利要求17所述的薄型半導體裝置的制備方法，其特征是，在形成該第二膠體的步驟后，給予該第二膠體與第二導電元件減低高度的處理，以薄化該制成的半導體裝置。

19、如權利要求17所述的薄型半導體裝置的制備方法，其特征是，該第二導電元件為焊球。