[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工件處理裝置及方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00121975.8
• 申請日: 2000-07-27
• 公開（公告）號: CN1282099A
• 公開（公告）日: 2001-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊田尚弘;彼得·沃甘德
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;西門子公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/68;C23C16/00;C23F4/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 王永剛

1．一種晶片處理裝置，特征在于包括：

處理室；

吸盤(104)，設(shè)置在所述處理室(100)中用于支撐晶片；

與所述吸盤間隔開的底座(102)；

第一氣體輸送機(jī)構(gòu)(109，110)，在所述吸盤和所述晶片之間提供第一氣體層；

第二氣體輸送機(jī)構(gòu)(118，120)，在所述底座和所述吸盤之間提供第二氣體層；

第一壓力控制器(112)，用于控制第一氣體層(He)的壓力；

第二壓力控制器(122)，用于控制第二氣體層(He)的壓力；以及

控制電路(114)，用于控制所述第一壓力控制器(112)，以控制第一氣體層的壓力，以便第一氣體層處于相對于第一氣體層的壓力變化第一氣體層的導(dǎo)熱率基本上不變的壓力范圍內(nèi)，還用于控制所述第二壓力控制器(122)，以控制第二氣體層的壓力，由此控制傳遞到／來自所述底座的熱量。

2．根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理裝置，特征在于第一氣體層(He)為氦氣體層，第二氣體層為氦氣體層。

3．根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理裝置，特征在于所述控制電路(114)控制所述第一壓力控制器(112)，以使第一氣體層保持在約2乇到約10乇的壓力范圍內(nèi)。

4．根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理裝置，特征在于所述控制電路(114)控制所述第二壓力控制器(122)，使第二氣體層保持在約2乇到約10乇的壓力范圍內(nèi)。

5．根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理裝置，特征在于還包括：

設(shè)置至少一個溫度傳感器(130)，以檢測所述吸盤(104)的溫度，并將溫度信號提供到所述控制電路(114)，其中

根據(jù)由至少一個溫度傳感器(130)提供的溫度信號，所述控制電路(114)控制所述第二壓力控制器(122)。

6．根據(jù)權(quán)利要求5的晶片處理裝置，特征在于所述控制電路(114)還包括：

存儲器，存儲由至少一個溫度傳感器(130)檢測到的所述吸盤(104)的溫度與支撐在所述吸盤上的晶片的溫度之間關(guān)系的數(shù)據(jù)。

7．一種晶片處理方法，包括以下步驟：

將晶片放置在設(shè)置在處理室(100)內(nèi)的吸盤(104)上；

在所述晶片和所述吸盤(104)之間提供第一氣體層；

在所述吸盤和底座(102)之間的空間中提供第二氣體層；

將第一氣體層的壓力控制在相對于第一氣體層的壓力變化第一氣體層的導(dǎo)熱率基本上不變的壓力范圍內(nèi)；以及

控制第二氣體層的壓力，以控制傳遞到／來自所述底座的熱量。

8．根據(jù)權(quán)利要求7的晶片處理方法，特征在于第一氣體層為氦層，第二氣體層為氦層。

9．根據(jù)權(quán)利要求7的晶片處理方法，特征在于還包括以下步驟：

測量所述吸盤(104)的溫度，其中

根據(jù)所述吸盤的測量溫度控制第二氣體層的壓力。

10．一種控制電路(114)，用于控制晶片處理裝置(100)，所述晶片處理裝置包括處理室，設(shè)置在所述處理室中用于支撐晶片的吸盤(104)，與所述吸盤間隔開的底座(102)，第一氣體輸送機(jī)構(gòu)(109，110)，在所述吸盤和所述晶片之間提供第一氣體層，第二氣體輸送機(jī)構(gòu)(118，120)，在所述底座和所述吸盤之間提供第二氣體層，第一壓力控制器(112)，用于控制第一氣體層(He)的壓力，第二壓力控制器(122)，用于控制第二氣體層(He)的壓力，所述控制電路(114)，用于控制所述第一壓力控制器(112)，以控制第一氣體層的壓力，以便第一氣體層的壓力處于相對于第一氣體層的壓力變化第一氣體層的導(dǎo)熱率基本上不變的壓力范圍內(nèi)，所述控制電路(114)控制所述第二壓力控制器(122)，以控制第二氣體層的壓力，由此控制傳遞到／來自所述底座的熱量。

11．根據(jù)權(quán)利要求10的控制電路，特征在于根據(jù)來自設(shè)置以檢測所述吸盤(104)的溫度的溫度傳感器的溫度信號，所述控制電路(114)控制所述第二壓力控制器(122)。

12．根據(jù)權(quán)利要求11的控制電路，還包括存儲所述吸盤(104)的溫度與支撐在所述吸盤上的晶片的溫度有關(guān)的數(shù)據(jù)的存儲器。