[發(fā)明專利]接觸結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 00121737.2 | 申請(qǐng)日： | 2000-07-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1282106A | 公開（公告）日： | 2001-01-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山崎舜平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/52 | 分類號(hào)： | H01L23/52;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,張志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接觸 結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體器件 | ||
1．一種接觸結(jié)構(gòu)，通過各向異性導(dǎo)電膜將基片上的連接布線連接到另一基片上的布線，
其中所述連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜形成的疊層膜，以及
在所述各向異性導(dǎo)電膜的連接部分中，所述金屬膜的側(cè)面由保護(hù)膜覆蓋。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述保護(hù)膜為樹脂膜。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。
5．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中所述金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。
6．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。
7．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。
8．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。
9．根據(jù)權(quán)利要求1的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。
10．一種接觸結(jié)構(gòu)，通過各向異性導(dǎo)電膜將基片上的連接布線連接到另一基片上的布線，
其中所述連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜形成的疊層膜，以及
僅有所述透明導(dǎo)電膜與所述各向異性導(dǎo)電膜接觸。
11．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中保護(hù)膜為樹脂膜。
12．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。
13．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。
14．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。
15．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。
16．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。
17．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。
18．根據(jù)權(quán)利要求10的接觸結(jié)構(gòu)，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。
19．一種半導(dǎo)體器件，包括：
基片上由薄膜晶體管構(gòu)成的電路，以及
所述基片上將由薄膜晶體管構(gòu)成的電路連接到另一電路的連接布線，
其中所述連接布線為金屬膜和透明導(dǎo)電膜的疊層膜，以及
在與其它電路的連接部分中，所述金屬膜的側(cè)面由保護(hù)膜覆蓋。
20．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜由與薄膜晶體管的柵極布線和源極布線之間的柵絕緣膜相同的材料形成。
21．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中連接布線通過各向異性導(dǎo)電膜電連接到其它基板的布線。
22．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中保護(hù)膜為樹脂膜。
23．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜的厚度在100nm和1μm之間。
24．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有Al作為它的基本成分的金屬層，或含有Al的合金層。
25．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜包括具有W作為它的基本成分的金屬層，或含有W的合金層。
26．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中金屬膜是W層和含有W和N的合金層構(gòu)成的疊層膜。
27．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜的厚度在50nm和0．5μm之間。
28．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅的合金膜。
29．根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件，其中透明導(dǎo)電膜是含氧化鋅和氧化銦的合金膜。
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