[發(fā)明專利]TV窗口中雙倍熔絲密度

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00121696.1
• 申請日: 2000-07-24
• 公開（公告）號: CN1334604A
• 公開（公告）日: 2002-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿克瑟爾·布林特曾格;桐畑外志昭;嬋德拉色克哈·那拉彥
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機器公司;英芬能技術(shù)北美公司
• 主分類號: H01L23/62
• 分類號: H01L23/62;H01L29/00;H01L27/02;H01L21/82
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

1.一種在多層半導體器件中使用的熔絲結(jié)構(gòu)，包括：

通過多層半導體器件的第一層上的開口安排在一端的至少兩個熔絲；及

熔絲之間用于連接熔絲的導電結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的熔絲結(jié)構(gòu)，還包括：

至少一對與每個熔絲相關(guān)連的用于將熔絲的兩端連至導電結(jié)構(gòu)的通路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的熔絲結(jié)構(gòu)，其中用于將至少兩個熔絲導電地連接的結(jié)構(gòu)包括一個安排在多層半導體器件的第二層內(nèi)的導電連接器，及其中這些通路將至少兩個熔絲連至該導電連接器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的熔絲結(jié)構(gòu)，其中用于將至少兩個熔絲導電地連接的結(jié)構(gòu)還包括一個至少對于這些至少兩個熔絲是公共的門導體，其中該公共門導體電氣地連至連接器并安排在多層半導體器件的第三層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的熔絲結(jié)構(gòu)，還包括：

至少一個用于將公共門導體連至導電連接器的通路。

6.根據(jù)權(quán)利要求3的熔絲結(jié)構(gòu)，還包括：

多個熔絲，其中該門導體對于所有熔絲都是公共的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的熔絲結(jié)構(gòu)，其中該熔絲結(jié)構(gòu)安排在多層半導體器件的端子窗口內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的熔絲結(jié)構(gòu)，其中熔絲是激光熔斷熔絲。

9.一種用于形成多層半導體器件中的熔絲的方法，該方法包括以下步驟：

形成一層導電連接器層；

形成從連接器層伸出的通路；及

形成至少兩個連至通路的及通過連接器層彼此連接的熔絲。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，還包括以下步驟：

形成一個對所有熔絲都公共的門導體；及

形成從門導體伸出的用于將公共門導體連至連接器層的通路。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中該熔絲結(jié)構(gòu)在多層半導體器件的端子窗口內(nèi)形成。