[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 00121639.2
• 申請日: 2000-06-02
• 公開（公告）號(hào): CN1276630A
• 公開（公告）日: 2000-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 坂間光范;淺見勇臣;石丸典子;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/314;H01L21/285
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 梁永,張志醒

1、一種半導(dǎo)體器件，包括形成于基片上的薄膜晶體管，所說半導(dǎo)體器件包括：

形成為與所說薄膜晶體管的有源層的一個(gè)表面接觸的基膜；

形成為與所說有源層的另一表面接觸的柵絕緣膜；

形成為與所說柵絕緣膜接觸的柵極；及

形成于所說柵極上的層間絕緣膜，

其中所說基膜、所說柵絕緣膜和所說層間絕緣膜中的至少一個(gè)由包括濃度為55-70原子％的氧、濃度為0.1-6原子％的氮和濃度為0.1-3原子％的氫的氫化氧氮化硅膜形成。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是選自個(gè)人電腦、視頻攝像機(jī)、便攜式信息終端、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字視盤播放器、電子游戲設(shè)備和投影儀等中的一種。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是EL顯示器件。

4、一種半導(dǎo)體器件，包括形成于基片上的薄膜晶體管，所說半導(dǎo)體器件包括：

形成為與所說薄膜晶體管的有源層的一個(gè)表面接觸的基膜；

形成為與所說有源層的另一表面接觸的柵絕緣膜；

形成為與所說柵絕緣膜接觸的柵極；及

形成于所說柵極上的層間絕緣膜，

其中構(gòu)成所說基膜、所說柵絕緣膜和所說層間絕緣膜的至少一層絕緣膜由包括濃度為55-70原子％的氧、濃度為0.1-6原子％的氮和濃度為0.1-3原子％的氫的氫化氧氮化硅膜形成。

5、根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是選自個(gè)人電腦、視頻攝像機(jī)、便攜式信息終端、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字視盤播放器、電子游戲設(shè)備和投影儀等中的一種。

6、根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是EL顯示器件。

7、一種半導(dǎo)體器件，包括形成于基片上的薄膜晶體管，所說薄膜晶體管包括：

形成為與所說薄膜晶體管的有源層的一個(gè)表面接觸的柵絕緣膜；

形成為與所說柵絕緣膜接觸的柵極；及

形成于所說有源層的另一表面上的保護(hù)絕緣膜或?qū)娱g絕緣膜；

其中所說柵絕緣膜和所說保護(hù)絕緣膜或所說層間絕緣膜中的至少一個(gè)由包括濃度為55-70原子％的氧、濃度為0.1-6原子％的氮和濃度為0.1-3原子％的氫的氫化氧氮化硅膜形成。

8、根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是選自個(gè)人電腦、視頻攝像機(jī)、便攜式信息終端、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字視盤播放器、電子游戲設(shè)備和投影儀等中的一種。

9、根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是EL顯示器件。

10、一種半導(dǎo)體器件，包括形成于基片上的薄膜晶體管，所說薄膜晶體管包括：

形成為與所說薄膜晶體管的有源層的一個(gè)表面接觸的柵絕緣膜；

形成為與所說柵絕緣膜接觸的柵極；及

形成于所說有源層的另一表面上的保護(hù)絕緣膜或?qū)娱g絕緣膜；

其中構(gòu)成所說柵絕緣膜和所說保護(hù)絕緣膜或所說層間絕緣膜的至少一層絕緣膜由包括濃度為55-70原子％的氧、濃度為0.1-6原子％的氮和濃度為0.1-3原子％的氫的氫化氧氮化硅膜形成。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是選自個(gè)人電腦、視頻攝像機(jī)、便攜式信息終端、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字視盤播放器、電子游戲設(shè)備和投影儀等中的一種。

12、根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件，其中所說半導(dǎo)體器件是EL顯示器件。

13、一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所說半導(dǎo)體器件包括形成于基片上的薄膜晶體管，所說方法包括以下步驟：

形成與所說薄膜晶體管的有源層的一個(gè)表面接觸的基膜；

形成與所說有源層的另一表面接觸的柵絕緣膜；

形成與所說柵絕緣膜接觸的柵極；及

在所說柵極上形成層間絕緣膜，

其中在所說各步驟中的至少一個(gè)步驟中，由SiH₄、N₂O和H₂形成氫化氧氮化硅膜。

14、根據(jù)權(quán)利要求13的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中至少氫化氧氮化硅膜中所含的氫通過熱處理擴(kuò)散到所說有源層。