[發明專利]半導體疊層襯底、晶體襯底和半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 00121630.9
• 申請日: 2000-07-21
• 公開（公告）號: CN1282111A
• 公開（公告）日: 2001-01-31
• 發明（設計）人: 河合弘治
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/00;C30B29/38
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王永剛

1．一種在基底襯底和制作在基底襯底上的半導體晶體層中間夾有分隔層的半導體疊層襯底，它包含：

用來使腐蝕分隔層的腐蝕劑在其中流過的流通孔。

2．根據權利要求1的半導體疊層襯底，其中的基底襯底由藍寶石、硅、尖晶石、鎵酸釹、鎵酸鋰、鋁酸鋰或氧化硅制成。

3．根據權利要求1的半導體疊層襯底，其中的半導體晶體層包含含有至少一種由鎵(Ga)、鋁(Al)、硼(B)和銦(In)組成的Ⅲ族元素以及至少由氮(N)、磷(P)和砷(As)組成的Ⅴ族元素中的氮的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體，而

分隔層包含Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體中的至少一種，此Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體包含至少一種Ⅲ族元素和至少一種Ⅴ族元素；此Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體包含至少一種由鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈹(Be)、鎘(Cd)、錳(Mn)和汞(Hg)組成的Ⅱ族元素以及至少一種由氧(O)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)組成的Ⅵ族元素。

4．根據權利要求1的半導體疊層襯底，其中的流通孔被提供在中間夾有抗生長膜的分隔層的至少部分側面中。

5．根據權利要求4的半導體疊層襯底，其中的抗生長膜由氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鎢、鉬中的至少一種制成。

6．根據權利要求1的半導體疊層襯底，其中的分隔層被分布成線形或小島的形式。

7．根據權利要求1的半導體疊層襯底，還包含：

制作在分隔層與半導體晶體層之間的緩沖層。

8．根據權利要求7的半導體疊層襯底，其中的緩沖層包含含有至少一種Ⅲ族元素和至少一種Ⅴ族元素的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。

9．根據權利要求7的半導體疊層襯底，其中的流通孔被提供在中間夾有抗生長膜的緩沖層的至少部分側面中。

10．根據權利要求7的半導體疊層襯底，還包含：

制作在緩沖層與半導體晶體層之間的部分上的抗生長膜。

11．一種具有一對相向的表面的半導體晶體襯底，它包含：

相向表面之一上的突出物或凹下。

12．根據權利要求11的半導體晶體襯底，其中相向表面之一上的突出物或凹下被分布成線形或小島的形式。

13．根據權利要求11的半導體晶體襯底，它包含：

含有至少一種由鎵(Ga)、鋁(Al)、硼(B)和銦(In)組成的Ⅲ族元素以及至少由氮(N)、磷(P)和砷(As)組成的Ⅴ族元素中的氮的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體組成的半導體晶體層。

14．根據權利要求11的半導體晶體襯底，它包含：

具有一對相向的表面的半導體晶體層；

提供在半導體晶體層的相向表面之一上的突出緩沖層；以及

提供在緩沖層與半導體晶體層之間的部分上的抗生長膜。

15．一種半導體器件，它包含具有中間夾有分隔層的基底襯底和制作在基底襯底上的半導體晶體層的半導體疊層襯底，其中的半導體疊層襯底具有用來使腐蝕分隔層的腐蝕劑在其中流過的流通孔。

16．根據權利要求15的半導體器件，其中的流通孔被提供在中間夾有抗生長膜的分隔層的至少部分側面中。

17．根據權利要求15的半導體器件，其中的半導體疊層襯底還包含提供在分隔層與半導體晶體層之間的緩沖層。

18．根據權利要求17的半導體器件，其中的半導體疊層襯底具有提供在中間夾有抗生長膜的緩沖層的至少部分側面中的流通孔。

19．根據權利要求17的半導體器件，其中的半導體疊層襯底還包含提供在緩沖層與半導體晶體層之間的部分上的抗生長膜。

20．根據權利要求15的半導體器件，它包含：

光學元件、場效應元件、雙極電子元件或至少包括這些元件中的二個的光電子元件。

21．一種半導體器件，它包含具有一對相向的表面的半導體晶體襯底，其中的半導體晶體襯底在相向表面之一上具有突出物或凹下。