[發明專利]在硅襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法

無效

• 申請號: 00121617.1
• 申請日: 2000-07-21
• 公開（公告）號: CN1334361A
• 公開（公告）日: 2002-02-06
• 發明（設計）人: Z·于;J·A·哈爾馬克;J·K·阿伯瓦;C·D·奧加德;R·德羅帕德
• 申請（專利權）人: 摩托羅拉公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 段承恩

1.一種在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其特征在于包括以下步驟：

提供在襯底表面上具有二氧化硅的Si襯底，所說二氧化硅具有升華溫度；

將該襯底加熱到低于二氧化硅的所說升華溫度；

將襯底的表面暴露于堿土金屬束。

2.根據權利要求1的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中堿土金屬包括鋇、鍶、鈣、鎂和它們的各組合中的一種。

3.根據權利要求2的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中堿土金屬包括鋇。

4.根據權利要求2的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中堿土金屬包括鋇和鍶。

5.根據權利要求1的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中提供在襯底的表面上具有二氧化硅的Si襯底的步驟包括以下步驟之一：提供其表面上具有自然氧化物的Si襯底，或提供Si襯底，并在其表面上形成氧化物。

6.根據權利要求1的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中將襯底加熱到低于二氧化硅的所說升華溫度的步驟包括將襯底加熱到700-800℃的溫度。

7.根據權利要求1的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中將襯底表面暴露于堿土金屬束的步驟在分子束外延室中完成。

8.根據權利要求7的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中在分子束外延室中將襯底表面暴露于堿土金屬束的步驟包括將該室內的壓力降低到約10^-9至10^-10乇。

9.根據權利要求1的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，包括在暴露步驟期間用RHEED技術監測所述表面，以確定二氧化硅到結晶堿土金屬氧化物的轉變的步驟。

10.根據權利要求1的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，還包括在所述暴露步驟后在襯底上形成附加材料層的附加步驟。

11.一種在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其特征在于包括以下步驟：

提供在襯底表面上具有非晶二氧化硅的Si襯底；

將所述襯底加熱到700-800℃的溫度；

在分子束外延室中，在約10^-9到10^-10乇的壓力下，將襯底的表面暴露于堿土金屬束；及

在暴露步驟期間用RHEED技術監測表面，以確定從非晶二氧化硅到結晶堿土金屬氧化物的轉變。

12.根據權利要求11的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中堿土金屬包括鋇、鍶、鈣、鎂和它們的各組合中的一種。

13.根據權利要求12的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中堿土金屬包括鋇。

14.根據權利要求12的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中堿土金屬包括鋇和鍶。

15.根據權利要求11的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中提供在襯底的表面上具有二氧化硅的Si襯底的步驟包括以下步驟之一：提供其表面上具有自然氧化物的Si襯底，或提供Si襯底，并在其表面上形成氧化物。

16.根據權利要求11的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，還包括將非晶二氧化硅轉變成結晶堿土金屬氧化物后，形成附加材料層的附加步驟。

17.一種在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其特征在于包括以下步驟：

提供在襯底表面上具有非晶二氧化硅的Si襯底；

將襯底加熱到700-800℃的溫度；

在分子束外延室中，在約10^-9到10^-10乇的壓力下，將襯底的表面暴露于鋇、鍶和鋇-鍶之一的束；

在暴露步驟期間用RHEED技術監測表面，以確定從非晶二氧化硅到結晶氧化鋇、氧化鍶和氧化鋇-鍶的轉變；及

在將非晶二氧化硅轉變為氧化鋇、氧化鍶和氧化鋇-鍶之一后，形成附加材料層。

18.根據權利要求17的在Si襯底上制備結晶堿土金屬氧化物的方法，其中提供在襯底的表面上具有二氧化硅的Si襯底的步驟包括以下步驟之一：提供其表面上具有自然氧化物的Si襯底，或提供Si襯底，并在其表面上形成氧化物。