[發明專利]一種制造顯示基板的方法及利用該方法制造的顯示基板

無效

• 申請號: 00121464.0
• 申請日: 2000-07-24
• 公開（公告）號: CN1282091A
• 公開（公告）日: 2001-01-31
• 發明（設計）人: 中村真記;水野俊明;荻野悅男;安崎利明
• 申請（專利權）人: 日本板硝子株式會社
• 主分類號: H01J9/00
• 分類號: H01J9/00;H01J17/49;C23C14/34
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 韓宏

1、一種制造顯示基板的方法，它包括以下步驟：

用金屬氧化物制備一個靶標；以及

利用上述靶標在一種惰性氣體和氮氣的混合氣體環境中以濺射法在基板的一個表面上形成一個金屬氮氧化合物薄膜，其中在上述環境中上述惰性氣體與氮氣的混合比被調節得使上述薄膜具有希望的表面電阻值。

2、根據權利要求1的方法，其中含在上述環境中的上述惰性氣體的體積含量比為5％至95％。

3、根據權利要求1或2的方法，其中上述希望的表面電阻值為1．0×1．0⁸Ω／□至1．0×1．0¹²Ω／□。

4、根據權利要求1至3中任一項的方法，其中上述靶標至少由兩種金屬氧化物形成。

5、根據權利要求4的方法，其中上述兩種金屬氧化物中的一種是從元素鈦和鋯中選出的一種元素的氧化物。

6、根據權利要求5的方法，其中上述兩種金屬氧化物中的另一種是從元素鈮、釩、鉭、釔、和鎢中選出的一種元素的氧化物。

7、根據權利要求5或6的方法，其中上述兩種金屬氧化物中的上述一種在上述靶標中的重量含量比是70％至99．5％。

8、根據權利要求6或7的方法，其中上述兩種金屬氧化物中的另一種在上述靶標中的重量含量比是0．5％至30％。

9、根據權利要求1至8中任一項的方法，它還包括下述步驟：在形成于上述基板的表面上的上述薄膜之上再堆疊地形成至少一個抗可移動離子熱擴散薄膜。

10、根據權利要求9的方法，其中上述抗可移動離子熱散薄膜是由從氧化硅、氮氧化硅、和氮化硅中選出的一種化合物形成的。

11、根據權利要求9或10的方法，其中上述抗可移動離子熱擴散薄膜的總膜厚為20nm至1000nm。

12、一種顯示基板，其制造步驟如下：用金屬氧化物制備一個靶標，以及在一種惰性氣體和氮氣的混合氣體環境中利用上述靶標以濺射法在基板的一個表面上形成一個金屬氮氧化合物薄膜，其中上述環境中的上述惰性氣體與氮氣的混合比被調節得使上述薄膜具有希望的表面電阻值。

13、根據權利要求2的顯示基板，其中含在上述環境中的上述惰性氣體的體積含量比為5％至95％。

14、根據權利要求12或13的顯示基板，其中上述希望的表面電阻值為1．0×1．0⁸Ω／□至1．0×1．0¹²Ω／□。

15、根據權利要求12或14中任一項的顯示基板，其中上述靶標至少由兩種金屬氧化物形成。

16、根據權利要求15的顯示基板，其中上述兩種金屬氧化物的一種是從元素鈦和鋯中選出的一種元素的氧化物。

17、根據權利要求16的顯示基板，其中上述兩種金屬氧化物中的另一種是從元素鈮、釩、鉭、釔、和鎢中選出的一種元素的氧化物。

18、根據權利要求16或17的顯示基板，其中上述兩種金屬氧化物中的上述一種在上述靶標中的重量含量比是70％至99．5％。

19、根據權利要求16或17的顯示基板，其中上述兩種金屬氧化物中的另一種在上述靶標中的重量含量比是0．5％至30％。

20、根據權利要求11或19中任一項的顯示基板，它還包括至少一個堆疊在形成于上述基板的表面上的上述薄膜之上的抗可移動離子熱擴散薄膜。

21、根據權利要求20的顯示基板，其中上述抗可移動離子熱擴散薄膜由從氧化硅、氮氧化硅、和氮化硅中選出的一種化合物形成。

22、根據權利要求20或21的顯示基板，其中上述抗可移動離子擴散薄膜的總膜厚為20nm至1000nm。