[發明專利]利用碳納米管的場發射顯示裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 00121140.4 | 申請日: | 2000-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN1286500A | 公開(公告)日: | 2001-03-07 |
| 發明(設計)人: | 李鐵真;柳在銀 | 申請(專利權)人: | 李鐵真;株式會社日進納米技術 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12;H01L27/15;H05B33/00;G09F9/30 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 韓宏 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 納米 發射 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1、一種場發射顯示裝置,包括:
第一金屬膜,形成在一個下基底上用作陰極;
形成在第一金屬膜上的絕緣膜模板和第二金屬膜模板,其中每個都有多個暴露第一金屬膜的細孔;
形成在該細孔內的導電高聚合物膜;
用作發射器頂端的碳納米管,垂直排列在該導電高聚合物膜內;
間隔器,安裝在該第二金屬膜模板上;以及
附著有透明電極和熒光材料的且形成在該間隔器上的上基底。
2、如權利要求1所述的場發射顯示裝置,其中下基底是由玻璃、石英、硅或氧化鋁(Al2O3)形成的。
3、如權利要求1所述的場發射顯示裝置,其中第一金屬膜是由鉻、鈦、鎢或氧化鋁形成,而第二金屬膜案是由鉻、鈦或鈀形成。
4、如權利要求1所述的場發射顯示裝置,其中每個細孔的直徑為0.5-1.0μm。
5、一種制造場發射顯示裝置的方法,該方法包括:
在一個下基底上形成用作陰極的第一金屬膜;
在該第一金屬膜上形成一個絕緣膜;
在該絕緣膜上形成用作柵電極的第二金屬膜;
通過將第二金屬膜和該絕緣膜制成模板,形成一個絕緣膜模板和一個第二金屬膜模板,其中每一個都具有暴露該第一金屬膜的多個細孔;
在該細孔內形成一個液態導電高聚合物膜;
將用作發射頂端的碳納米管噴射進該細孔并且垂直排列該碳納米管;
使液態導電高聚合物膜彎曲;
在該第二金屬膜模板上安裝一個間隔器;
將附著有透明電極和熒光材料的上基底附著到該間隔器。
6、如權利要求5所述的方法,其中該下基底是由玻璃、石英、硅或氧化鋁(Al2O3)形成的。
7、如權利要求5所述的方法,其中該第一金屬膜是由鉻、鈦、鎢或氧化鋁形成,而第二金屬膜案是由鉻、鈦或鈀形成。
8、如權利要求5所述的方法,其中該碳納米管是通過超聲振動或外加電壓方式垂直排列在該細孔內。
9、如權利要求5所述的方法,其中每個細孔具有的直徑為0.5-10.0μm。
10、如權利要求5所述的方法,其中該液態導電高聚合物膜是在300℃-400℃下彎曲的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





