[發(fā)明專利]新型金屬半導體接觸制作肖特基二極管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00120878.0 | 申請日： | 2000-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN1337747A | 公開（公告）日： | 2002-02-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳慶豐 | 申請（專利權）人： | 北京普羅強生半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100029 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 新型 金屬 半導體 接觸 制作 肖特基 二極管 | ||
【權利要求書】：
本發(fā)明主要與肖特基二極管(SBD)的制造方法和結構相關，基于勢壘金屬與硅接觸形成肖特基二極管，利用勢壘金屬從硅開始至與硅表面接觸部分形成的緩沖臺階，可以簡便制作SBD，其性能與常規(guī)方法制作的SBD相當。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
