[發(fā)明專利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體的生長方法及氣相生長裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 00120164.6 | 申請日： | 2000-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN1129956C | 公開（公告）日： | 2003-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 弘田龍;龍見雅美 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;C30B29/40;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 暫無信息 | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 生長 方法 相生 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
