[發明專利]光纖稀土摻雜預制件的制造方法

有效

• 申請號: 00120094.1
• 申請日: 2000-04-07
• 公開（公告）號: CN1287979A
• 公開（公告）日: 2001-03-21
• 發明（設計）人: K·坦卡拉
• 申請（專利權）人: 斯佩克特恩公司
• 主分類號: C03B37/018
• 分類號: C03B37/018;C03C13/04;G02B6/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 段承恩

1、一種制造光纖稀土摻雜預制件的方法，包括以下步驟：

在沉積溫度下在二氧化硅基的襯底管的內表面沉積一個多孔二氧化硅煙灰層；

將該多孔二氧化硅煙灰層浸泡在至少含有一種稀土元素和一種共摻雜劑元素的浸泡溶液中，使該共摻雜劑元素優先送至該多孔二氧化硅煙灰層中所述稀土元素附近；

在干燥溫度用氯氣和惰性氣體流干燥該多孔二氧化硅煙灰層，除去該浸泡溶液；

在氧化溫度氧化所述稀土元素和所述共摻雜劑元素，形成稀土元素氧化物和共摻雜劑元素氧化物；和

燒結所述多孔二氧化硅煙灰層成為玻璃層。

2、根據利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中采用改進的化學汽相沉積工藝沉積所述多孔二氧化硅煙灰層。

3、根據利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述沉積溫度范圍在約1300℃-約1800℃。

4、如權利要求3的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述沉積溫度約為1600℃。

5、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述稀土元素原子序數為57-71。

6、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述稀土元素選自Yb，Nd和Er中的一種。

7、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述稀土元素是可水溶或可醇溶的化合物的形式。

8、如權利要求7的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述稀土化合物是氯化物。

9、如權利要求8的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述稀土氯化物是選自YbCl₃6H₂O，NdCl₃6H₂O和ErCl₃6H₂O中的一種。

10、如權利要求7的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述稀土化合物是硝酸鹽。

11、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述共摻雜劑元素是用來改善所述稀土元素的溶解性的。

12、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述共摻雜劑元素是用來改善所述二氧化硅煙灰層的聲子能的。

13、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述共摻雜劑元素選自Al，P，Ge和B中的一種。

14、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述共摻雜劑元素是可水溶或可醇溶的化合物的形式。

15、如權利要求14的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述共摻雜劑化合物是AlCl₃6H₂O。

16、如權利要求14的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述共摻雜劑化合物是Al(NO₃)₃9H₂O。

17、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述浸泡步驟的持續時間應當足夠長，以使所述多孔二氧化硅煙灰層中的所述浸泡溶液達到飽和量。

18、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述浸泡步驟的持續時間至少為0．5小時。

19、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述浸泡步驟的持續時間約為1小時。

20、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述干燥溫度范圍為600℃-1200℃。

21、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述干燥溫度范圍為800℃-1000℃。

22、如權利要求1的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述干燥步驟還包括用惰性氣流初步干燥所述多孔二氧化硅煙灰層的步驟。

23、如權利要求22的制造光纖稀土摻雜預制件的方法，其中所述初步干燥步驟的持續時間為約0.5-約1小時。