[發明專利]減少對角線對稱缺陷的用于偏轉系統的非對稱分路器

無效

• 申請號: 00120001.1
• 申請日: 2000-05-27
• 公開（公告）號: CN1326210A
• 公開（公告）日: 2001-12-12
• 發明（設計）人: N·阿茲;S·沃拉蒂爾;O·馬森
• 申請（專利權）人: 湯姆森許可公司
• 主分類號: H01J29/76
• 分類號: H01J29/76
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 章社杲

本發明涉及用于彩色陰極射線管的偏轉單元，該單元還被稱為偏轉系統，包括鞍形的一對水平偏轉線圈和一對垂直偏轉線圈，線圈的特殊形狀可以同時使電子束的彗形、幾何和會聚誤差最小化。

產生彩色圖象的陰極射線管一般包括發射三束共面電子束的電子槍，每束電子束激勵陰極射線管的熒光屏上的用于特定基色(紅、綠或藍)的熒光粉。

由于被固定于管子頸部的偏轉系統的水平和垂直偏轉線圈產生的偏轉場的作用，電子束掃描管子的熒光屏。由塑料構成的分隔器用于隔離兩對線圈并確保偏轉系統是機械剛性的。鐵磁材料環通常圍繞偏轉線圈，以便使偏轉場集中在適當的區域內。

由電子槍產生的三電子束必須總是會聚在管子的熒光屏上，而且引入所謂的會聚誤差，特別是，這將使彩色的再現出錯。為了使三個共面電子束會聚，公知使用所謂自會聚像散偏轉場；在自會聚偏轉線圈中，由水平偏轉線圈產生的場強或磁力線在位于面對熒光屏的管子一側上的線圈較前面的一部分線圈中一般是枕形的。這相當于在構成直線線圈的匝數的分布中引入線圈前部的安匝密度的高正3次諧波。

而且，由于均勻水平和垂直偏轉磁場的作用，被電子束掃描的體積為棱錐形，其頂點與偏轉系統的偏轉中心重合，它與非球形熒光屏表面相交呈現為被稱為枕形失真的幾何缺陷。管子的熒光屏的曲率半徑越大，圖象的幾何失真越大。自會聚偏轉系統產生像散偏轉場，從而可以修正圖象的北/南和東/西幾何形狀，特別是，部分地補償北/南枕形失真。

偏轉系統的設計還應該考慮彗形像差，彗形像差是影響從發射成一直線的三束電子束的電子槍發射的側邊電子束的畸變，與偏轉場像散和管子熒光屏表面的曲率無關；這些側邊電子束以相對于管子的軸的小角度進入偏轉系統，除了軸向電子束之外，其余電子束被偏轉。一般通過修正在電子束進入偏轉系統的點的偏轉場的分布來校正彗形像差，從而補償由為獲得實現自會聚所希望的像散需要的場分布產生的彗形像差。因此，對于水平偏轉場，在偏轉系統后部的場是桶形的，在前部的場是枕形的。

另外，兩對偏轉線圈即水平和垂直偏轉線圈必須產生互相嚴格垂直的偏轉場。如果兩個場不垂直，會發生一個場相對于另一個場被調制的現象。由于水平偏轉線圈控制信號的幅度為約900伏，而給垂直偏轉線圈輸送約50伏，垂直偏轉線圈用做變壓器的次級線圈，變壓器的初級線圈應該是水平偏轉線圈。這種調制效應還被稱為交叉調制，并且通常由公式XMod＝100×Vv/Vh確定，其中Vv是在給水平偏轉線圈輸送電壓Vh時對垂直偏轉線圈測量的電壓。交叉調制現象引起由電子束的掃描產生的管子熒光屏上的圖象的幾何問題。這些問題例如是正交性和平行四邊形缺陷。這些缺陷的校正要求在設計偏轉系統時考慮這些缺陷，但考慮這些缺陷的工藝是很困難的，或者是不可能的，因為在已經完成設計階段時，缺陷來源于在制造偏轉系統的第一階段產生的制造問題；因此需要通過在設計偏轉線圈時增加新步驟或使用能用于圖象幾何校正的電子控制電路來解決這些問題。本發明通過修改一對鞍形線圈的前部導體組件和在所述導體組件中引入非對稱形狀而提供解決這些問題的簡單方案。通過修改位于防止繞組的模具前部的線圈成形器的形狀將這種修改引入到制造中，這種修改對在設計線圈時確定的其它參數如三束電子束的會聚或彗形像差沒有影響。

為此，根據本發明用于彩色陰極射線管的偏轉系統包括一對水平偏轉線圈，一對垂直偏轉線圈，這些線圈將產生垂直于主軸Z的偏轉磁場，這兩對線圈中至少一對由鞍形線圈構成，所述線圈的每個的導線被設置得形成前部導體組件和后部導體組件，這兩個導體組件通過兩個橫向導體束互相電連接，形成后部導體組件的每個所述線圈的這些部件和橫向束相對于平面P近似于對稱設置，所述偏轉系統的特征在于：它具有用于局部修改由在所述導體組件中流過的電流產生的磁場的方向或幅度的裝置，考慮到前部導體組件的第一區和相對于P與第一區對稱的第二區，在第一區和第二區產生的場H、H’不相對于P對稱。

借助下面的文字說明和附圖使本發明更容易被理解，其中：

圖1表示裝配到陰極射線管頸部的根據本發明的偏轉系統的剖視圖；

圖2A和2B表示從前面和上面看到的根據現有技術狀態的鞍形線圈；

圖3A-3C表示本發明解決的正交和平行四邊形缺陷；

圖4表示本發明的一個實施例；

圖5表示本發明線圈的形狀對所述線圈的前部的場的影響；和

圖6表示本發明的第二實施例。

圖7表示本發明的又一實施例和對線圈前部的偏轉場的影響。