[發明專利]磁阻元件的生產方法和裝置,生產控制與估值軟件和系統有效
| 申請號： | 00118848.8 | 申請日： | 2000-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN1284710A | 公開（公告）日： | 2001-02-21 |
| 發明（設計）人： | 茨田和弘;山口正雄;佐佐木正博 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/39 | 分類號： | G11B5/39;B24B49/10 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 羅朋,張志醒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁阻 元件 生產 方法 裝置 控制 軟件 系統 | ||
1．用于制造一種具有其阻值響應于外部磁場的變化而變化的磁感應性層的磁換能器的方法，包括：
在預定基底上選擇性地形成一個磁感應性層的薄膜形成步驟；
在進行拋光之前，獲取作為基底信息的，關于至少基底或形成在基底上的至少包括磁敏層的結構的信息的結構信息獲取步驟；
將基底切割為多個條的切割步驟，其中每一條至少包括磁敏層；和
對條進行拋光的拋光步驟；
其中拋光步驟至少基于基底信息來控制對條的拋光，使得包括在條中的磁敏層具有預定的目標阻。
2．根據權利要求1的用于制造磁換能器的方法，還包括：
通過使用前面經受統計處理得到的如加權系數的值來對基底信息進行預定操作而計算構成磁敏層的潛在估計阻值的一部分的第一數值的步驟，
其中拋光步驟通過使用至少第一數值來計算估計的阻值并控制條的拋光，使得所估計的阻值達到目標阻值。
3．根據權利要求1的用于制造磁換能器的方法，還包括：
其中基底信息獲取步驟至少獲得形成于基底上的磁敏層的阻值或表面阻值或包括集群阻值部件的磁敏層的有效阻值，
從而基底信息包含關于所獲得的磁敏層的阻值或表面阻值或所獲得的磁敏層的有效阻值。
4．根據權利要求1的用于制造磁換能器的方法，還包括：
其中薄膜形成步驟還形成至少電連接到磁敏層的引入導電薄膜或用作偽傳感器的電阻性薄膜圖案，和
基底信息獲取步驟至少獲得形成于基底上的引入導電薄膜或電阻性薄膜圖案的阻值，
從而基底信息至少包含關于所獲得的引入導電薄膜的阻值或所獲得的電阻性薄膜圖案的阻值。
5．根據權利要求1的用于制造磁換能器的方法，還包括：
拋光步驟還獲取關于作為正在工作信息的在工作情況中條的信息并基于基底信息和正在工作信息來控制條的拋光，使得包括于條中的磁敏層具有預定的目標阻值。
6．根據權利要求5的用于制造磁換能器的方法，還包括：
通過使用前面經受統計處理得到的如加權系數的值來對基底信息進行預定操作而計算構成磁敏層的潛在估計阻值的一部分的第一數值的步驟，
其中拋光步驟通過使用至少第一數值和正在工作信息來計算估計的阻值并控制條的拋光，使得所估計的阻值達到目標阻值。
7．根據權利要求6的用于制造磁換能器的方法，還包括：
通過使用前面經受統計處理得到的如加權系數的值來對正在工作信息進行預定操作而計算構成磁敏層的所估計阻值的一部分的第二數值的步驟，
其中拋光步驟通過使用至少第一數值和第二數值來計算所估計的阻值并控制條的拋光，使得所估計的阻值達到目標阻值。
8．根據權利要求5的用于制造磁換能器的方法，還包括：
其中基底信息獲取步驟至少獲得形成于基底上的磁敏層的阻值或表面阻值或包括集群阻值部件的磁敏層的有效阻值，
從而基底信息包含關于所獲得的磁敏層的阻值或表面阻值或所獲得的磁敏層的有效阻值。
9．根據權利要求5的用于制造磁換能器的方法，還包括：
其中薄膜形成步驟還形成至少電連接到磁敏層的引入導電薄膜或用作偽傳感器的電阻性薄膜圖案，和
基底信息獲取步驟至少獲得形成于基底上的引入導電薄膜或電阻性薄膜圖案的阻值，
從而基底信息至少包含關于所獲得的引入導電薄膜的阻值或所獲得的電阻性薄膜圖案的阻值。
10．根據權利要求9的用于制造磁換能器的方法，還包括：
其中拋光步驟還獲得在條片上的電阻性薄膜圖案的阻值，
從而正在工作信息還包含關于所獲得的電阻性薄膜圖案的阻值。
11．根據權利要求5的用于制造磁換能器的方法，還包括：
其中拋光步驟還包括獲取在條的磁敏層的預定部分的尺寸信息，
從而正在工作信息包括關于所獲得的尺寸信息的數據。
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