[發明專利]一種新結構薄膜熱電堆

無效

• 申請號: 00116552.6
• 申請日: 2000-06-16
• 公開（公告）號: CN1274953A
• 公開（公告）日: 2000-11-29
• 發明（設計）人: 沈德新;盧建國
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海冶金研究所
• 主分類號: H01L35/00
• 分類號: H01L35/00;G01K7/02
• 代理公司: 上海華東專利事務所
• 代理人: 季良赳

1、一種采用半導體集成電路工藝和微機械工藝制造的薄膜紅外輻射熱電堆，包括雙面拋光襯底硅片；硅片上的雙面二氧化硅(或氮化硅)薄膜層；硅片一面二氧化硅(或氮化硅)層上的氮化硅(或二氧化硅)薄膜層；氮化硅(或二氧化硅)薄膜層上組成熱電偶的熱電薄膜條；熱電薄膜條上的絕緣膜；絕緣膜上的另一種組成熱電偶的熱電薄膜條；熱電薄膜條連接成熱電偶并串聯成熱電堆的引線孔和外引線連接點；芯片熱電堆襯底硅片上的凹坑，凹坑四周熱電偶冷端襯底硅片框架，凹坑頂部熱電偶熱端的電介質支撐膜以及紅外輻射接收區上的輻射吸收層，其特征在于熱電堆中組成熱電偶的熱電薄膜條上面，有使熱電偶熱端(熱結)暴露，冷端(冷結)及熱電偶條被掩蓋住的絕緣隔熱薄膜層以及絕緣隔熱層上的一層或多層高反射散熱層。

2、根據權利要求1所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于掩蓋住熱電堆中熱電偶冷端(冷結)及熱電偶條的絕緣隔熱薄膜層為二氧化硅或氮化硅或氧化鋁薄膜。

3、根據權利要求1所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于絕緣隔熱層上的一層高反射散熱層為金或鉑或銀金屬膜。

4、根據權利要求1所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于絕緣隔熱層上的多層高反射散熱層為金屬和保護膜或金屬上涂覆多層高反射介質膜形成的金屬電介質膜系高反射層。

5、根據權利要求1或4所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于金屬電介質膜系高反射層中的高反射介質膜層數為偶數層。

6、根據權利要求1或4所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于多層高反射散熱層中的金屬反射散熱層也可以是鋁或銅等賤金屬層。

7、根據權利要求1或3或4或6所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于金屬反射散熱層的膜厚大于500埃。

8、根據權利要求1所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于熱電堆中組成熱電偶的熱電薄膜條為半導體或金屬或合金熱電材料薄膜條。

9、根據權利要求1所述的薄膜紅外輻射熱電堆，其特征在于高反射散熱層中膜系均為可采用半導體集成電路蒸發、沉積成膜工藝制造的薄膜。