[發明專利]一種消除局部注氧隔離形成絕緣層上硅(SOI)中邊界應力的方法

無效

• 申請號: 00115306.4
• 申請日: 2000-03-30
• 公開（公告）號: CN1272690A
• 公開（公告）日: 2000-11-08
• 發明（設計）人: 王連衛;林成魯;多新中;范秀強;邢昆山
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海冶金研究所
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L21/324
• 代理公司: 上海華東專利事務所
• 代理人: 潘振蘇,沈德新

1.一種消除局部注氧隔離形成絕緣層上硅(SOI)產生的邊界應力的方法，其特征在于將硅工藝中的局部氧化工藝與傳統的注氧隔離制作SOI的技術結合，先區域氧化再高溫退火。

2.按權利要求1所述消除局部注氧隔離產生的邊界應力的方法，其特征在于所述的先區域氧化是：

(1)先區域氧化指的是注入區邊緣氧化；

(2)氧離子局部注入后，800-1000℃預氧化，氧化層厚度40～80nm，并淀積Si₃N₄；

(3)光刻并且將可能存在應力的注入邊界的Si₃N₄去除或者只保留有源區或打算保留制作SOI的區域的Si₃N₄；

(4)熱氧化0.5～1μm的SiO₂。

3.按權利要求1所述的局部注氧隔離邊界應力的方法，其特征在于區域氧化工藝后的退火是在1300-1350℃高溫下進行，然后去除淀積的Si₃N₄。

4.按權利要求1、2、3所述的局部注氧隔離邊界應力的方法，其特征在于注入后

??(1)900℃預氧化60nmSiO₂，淀積Si₃N₄；

??(2)光刻去除注入區邊界的Si₃N₄；

??(3)熱氧化，氧化層厚度0.8μm

??(4)1320℃高溫退火5小時。

5.按權利要求1所述的局部注氧隔離邊界應力的方法，其工藝與硅集成電路工藝完全兼容，也可以用于微電子機械系統。

6.按權利要求1、2、3所述的局部注氧隔離邊界應力的方法，可改善局部注氧形成的SIMOX的表面平整度。