[發(fā)明專(zhuān)利]大電流比例的電流輸出電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 00109819.5
• 申請(qǐng)日: 2000-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1331437A
• 公開(kāi)（公告）日: 2002-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李建勛;葉定修;沈晉升
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 盛群半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F3/26
• 分類(lèi)號(hào): G05F3/26
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 徐嫻

本發(fā)明涉及一種電路，特別是一種大電流比例的電流輸出電路，其為一種電流鏡電路，其特點(diǎn)是在占用面積小，具有不受電源影響，并可輸出恒定大電流的能力。

隨著電子技術(shù)的進(jìn)步，使現(xiàn)今人們生活不斷提高，如今在與人類(lèi)生活息息相關(guān)的各種電子產(chǎn)品，其內(nèi)部的主要元件為集成電路。不論是數(shù)字信號(hào)邏輯單元或是通訊系統(tǒng)中所需要的信號(hào)接收及發(fā)射器，皆可由集成電路來(lái)完成，而集成電路的制造需利用半導(dǎo)體工藝技術(shù)作基礎(chǔ)。由于集成電路內(nèi)部的電路布局十分的復(fù)雜，所以半導(dǎo)體工藝也是一項(xiàng)十分精密技術(shù)，對(duì)現(xiàn)有工藝技術(shù)作改善也甚為困難。

在傳統(tǒng)技術(shù)中，能輸出恒定大電流的集成電路是使用一種稱(chēng)為電流鏡的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，請(qǐng)參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中使用的一種電流鏡電路的示意圖，其中包括有兩個(gè)N通道MOS晶體管T₁、T₂，其中一個(gè)N通道MOS晶體管T1的漏極D連接有一個(gè)應(yīng)用電路，該應(yīng)用電路為任何需要一個(gè)大的恒定電流源的電路，此應(yīng)用電路受電流鏡影響輸出固定電流I_D，且此N通道MOS晶體管的閘極G與另一個(gè)N通道MOS晶體管T₂的閘極G與漏極D連接，而這兩個(gè)N通道MOS晶體管T₁、T₂的源極S皆接地。

請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中使用的另一種電流鏡電路的示意圖，該技術(shù)公開(kāi)于1996年4月30日獲準(zhǔn)的美國(guó)專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為5,512,855“工作在飽和區(qū)的恒流電路(Constant-current?Circuit?Operationin?Saturation?Region)”，該電路中包括有四個(gè)MOS晶體管M₂₁、M₂₂、M₂₃、M₂₄，其中兩個(gè)MOS晶體管M₂₃、M₂₄在源極S處與一個(gè)電壓源V_DD并聯(lián)連接，且MOS晶體管M₂₄的閘極G與漏極D連接；此兩個(gè)MOS晶體管M₂₃、M₂₄為N通道的MOS晶體管，且MOS晶體管M₂₄的閘極G與另一個(gè)MOS晶體管M₂₃的閘極G連接；此兩個(gè)N通道MOS晶體管M₂₃、M₂₄的漏極D并與另兩個(gè)P通道MOS晶體管M₂₁、M₂₂的漏極D連接，其中P通道MOS晶體管M₂₁的漏極D更經(jīng)由一個(gè)電阻R₂₁與N通道MOS晶體管M₂₃的漏極D及自己的閘極G連接；此兩個(gè)P通道MOS晶體管M₂₁、M₂₂的源極S接地。